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標(biāo)題: mos管的疑問(wèn) [打印本頁(yè)]

作者: 1226199801 時(shí)間: 2017-12-17 22:02
標(biāo)題: mos管的疑問(wèn)
本帖最后由 1226199801 于 2017-12-17 22:10 編輯

Q2是n-mos管，封裝模式，有幾點(diǎn)不明白。兩張圖片，兩個(gè)mos管接法，那種對(duì)？我知道導(dǎo)通的情況要Ug>Us.
1、當(dāng)1腳為5v時(shí)，3腳為什為3.3v? mos管導(dǎo)通不是1和3角應(yīng)該相同電壓?jiǎn)幔?br /> 2、當(dāng)1為0v都變?yōu)?，這點(diǎn)沒(méi)問(wèn)題。

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小板對(duì)應(yīng)的原理圖

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網(wǎng)上搜的

作者: angmall 時(shí)間: 2017-12-18 00:18
　　在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài)：

　　1 沒(méi)有器件下拉總線(xiàn)線(xiàn)路。“低電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)上拉電阻R3 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的門(mén)極(2腳)和源極(3腳)都是3.3V，所以它的VGS 低于閥值電壓，MOS-FET 管不導(dǎo)通。這就允許“高電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)它的上拉電阻R1 拉到5V。此時(shí)兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路都是高電平，只是電壓電平不同。

　　2 一個(gè)3.3V 器件下拉總線(xiàn)線(xiàn)路到低電平。MOS-FET 管的源極(3腳)也變成低電平，而門(mén)極(2腳)是3.3V。 VGS上升高于閥值，MOS-FET 管開(kāi)始導(dǎo)通。然后“高電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET管被3.3V 器件下拉到低電平。此時(shí)，兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路都是低電平，而且電壓電平相同。

　　3 一個(gè)5V 的器件下拉總線(xiàn)線(xiàn)路到低電平。MOS-FET 管的漏極(1腳)基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS 超過(guò)閥值，MOS-FET 管開(kāi)始導(dǎo)通。“低電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET 管被5V 的器件進(jìn)一步下拉到低電平。此時(shí)，兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路都是低電平，而且電壓電平相同。

　　這三種狀態(tài)顯示了邏輯電平在總線(xiàn)系統(tǒng)的兩個(gè)方向上傳輸，與驅(qū)動(dòng)的部分無(wú)關(guān)。狀態(tài)1 執(zhí)行了電平轉(zhuǎn)換功能。狀態(tài)2 和3 按照I2C 總線(xiàn)規(guī)范的要求在兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路之間實(shí)現(xiàn)“線(xiàn)與”的功能。

作者: 1226199801 時(shí)間: 2017-12-18 16:19

angmall 發(fā)表于 2017-12-18 00:18
　　在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài)：

　　1 沒(méi)有器件下拉總線(xiàn)線(xiàn)路。“低電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn) ...

MOS-FET 管的漏極(1腳)基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS 超過(guò)閥值，MOS-FET 管開(kāi)始導(dǎo)通。

這一句不太理解，漏極的電壓被下拉會(huì)逐漸將Us電壓下拉直到達(dá)到導(dǎo)通條件？

作者: angmall 時(shí)間: 2017-12-18 22:01
門(mén)極(2腳)是3.3V, 漏極的電壓被下拉會(huì)逐漸將Us電壓下拉直到達(dá)到導(dǎo)通條件, VGS 超過(guò)閥值，導(dǎo)通的情況是Ug>Us.

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