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標(biāo)題: 符合QI標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線充芯片三線圈方案layout注意事項(xiàng) [打印本頁(yè)]

作者: 菲諾克科技 時(shí)間: 2018-1-8 09:24
標(biāo)題: 符合QI標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線充芯片三線圈方案layout注意事項(xiàng)

1. 功率地線和信號(hào)地線必須單獨(dú)鋪銅，并通過一個(gè)單點(diǎn)連接在一起，連接點(diǎn)盡可能的靠近輸入電容的地線

2. 信號(hào)地鋪銅，必須保證有塊大面積的完整的地線。頂層和底層的信號(hào)地線之間盡量增加過孔，以保證信號(hào)地線的完整

3.功率回路的面積要盡可能的小，可以降低EMI的噪音，粗箭頭線分別為電源線和地線，細(xì)箭頭線分別為3組繞組的功率走線

4. 在各信號(hào)線都要盡量遠(yuǎn)離跳變的干擾源，如PWM1，PWM2，SW1和SW2，信號(hào)線之間盡量鋪上信號(hào)地線，降低信號(hào)線之間的干擾

5. 信號(hào)處理芯片的供電線需要遠(yuǎn)離干擾源，如PWM1，PWM2，SW1和SW2，防止供電線被干擾，產(chǎn)生高壓導(dǎo)致芯片工作異常

6. 芯片供電的去耦電容必須盡可能靠近芯片的供電引腳

7. 頂層和底層的信號(hào)線不能平行走線，盡量垂直相交

8 .EMI吸收電容必須靠近干擾源

9. 各功能模塊盡量各自擺放，方便調(diào)試

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