有關(guān)AT24Cxx頁寫緩沖的概念說明如下:
由于E2PROM的半導(dǎo)體工藝特性,對E2PROM的寫入時間需要5~10ms,但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內(nèi)部設(shè)置了一個具有SRAM性質(zhì)的輸入緩沖器,稱為頁寫緩沖器。CPU對該芯片寫操作時,AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數(shù)據(jù)暫存在頁寫緩沖器內(nèi),然后,慢慢寫入E2PROM中。因此,CPU對AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節(jié)數(shù),受到該芯片頁寫緩沖器容量的限制。頁寫緩沖器的容量為16B,若CPU寫入字節(jié)數(shù)超過芯片頁寫緩沖器容量,應(yīng)在一頁寫完后,隔5~10ms重新啟動一次寫操作。
以上摘自張志良編著《
80C51單片機仿真設(shè)計實例教程——基于Keil C和Proteus》清華大學(xué)出版社ISBN 978-7-302-41682-1,內(nèi)有常用的單片機應(yīng)用
100案例,用于仿真實驗操作,電路與程序真實可靠可信可行。書中電路和程序設(shè)計有詳細說明,程序語句條條有注解。
上節(jié)已提到AT24Cxx頁寫緩沖的特性,需要補充說明的是,一次寫入AT24Cxx字節(jié)數(shù)不但不能超過芯片頁寫緩沖器容量,而且,若不是從頁寫緩沖器頁內(nèi)零地址0000寫起,一次寫入地址不能超出頁內(nèi)最大地址1111。例如,若從頁內(nèi)地址0000寫起,一次最多可寫16字節(jié);若從頁內(nèi)地址0010寫起,一次最多只能寫16-2=14字節(jié)。若要寫16字節(jié),超出頁內(nèi)地址1111,將會引起地址翻卷,導(dǎo)致出錯。因此,本例16字節(jié)從AT24C02 5BH開始寫起,須分兩次寫入。第1次寫0x5b~0x5f單元,第2次寫0x60~0x62單元,中間還必須有頁寫延時。