倒裝LED 芯片， 通過 MOCVD技術在藍寶石襯底上生長 GaN 基 LED 結構層，由 P/N 結發光區發出的光透過上面的P 型區射出。由于 P 型 GaN 傳導性能不佳，為獲得良好的 電流擴展，需要通過蒸鍍技術在 P 區表面形成一層Ni- Au 組成的金屬電極層。P 區引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni-Au 金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發光效率就會受到很大影響，通 常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在， 總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。 采用 GaN LED 倒裝芯片的結構可以從根本上消除上面的問題。
在倒裝芯片的技術基礎上，有廠家發展出了LED 倒裝無金線芯片級封裝。
什么是LED 倒裝無金線芯片級封裝
倒裝無金線芯片級封裝，基于倒裝焊技術，在傳統 LED 芯片封裝的基礎上，減少了金線封裝工藝， 省掉導線架、 打線， 僅留下芯片搭配熒光粉與封裝膠使用。作 為新封裝技術產品，倒裝無金線芯片級光源完全沒有因金線虛焊或接觸不良引起的不亮、閃爍、光衰大等問題。相比于傳統封裝工藝，芯片級光源的封裝密度增加了 16 倍，封裝體積卻縮小了80%，燈具設計空間更大。倒裝無金線芯片憑借更穩定的性能、更好的散熱性、更均勻的光色分布、更小的體積受到越來越多 LED 燈具企業和終端產品應用企業的青睞。
LED倒裝芯片知識全解.pdf
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