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標題: mos管驅動電路總結 [打印本頁]

作者: abc。。 時間: 2020-6-23 11:24
標題: mos管驅動電路總結
MOS管驅動電路總結
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最
大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不
是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原
創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共
4 種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到
NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。
寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介
紹。
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅動
感性負載（如馬達），這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在
集成電路芯片內部通常是沒有的。
2，MOS管導通特性
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要
柵極電壓達到 4V或 10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但
是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，
在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
3，MOS開關管損失
不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，
這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率
MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流
過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損
失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大�？s短開關時間，可以減小每次導通時
的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
4，MOS管驅動
跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可
以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是
對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以
瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅
動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大 4V或 10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集
成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
上邊說的 4V或 10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越
高，導通速度越快，導通電阻也越小�，F在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但
在 12V汽車電子系統里，一般 4V導通就夠用了。
MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET
Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。
5，MOS管應用電路
MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開
關電源和馬達驅動，也有照明調光。
這三種應用在各個領域都有詳細的介紹，這里暫時不多寫了。以后有時間再總結
問題提出：
現在的MOS驅動，有幾個特別的需求，
1，低壓應用
當使用 5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be有 0.7V左右的壓降，導
致實際最終加在gate上的電壓只有 4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓 4.5V的MOS管就存
在一定的風險。
同樣的問題也發生在使用 3V或者其他低壓電源的場合。
2，寬電壓應用
輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供
給MOS管的驅動電壓是不穩定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在
這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。
同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，MOS管
工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。
3，雙電壓應用
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的 5V或者 3.3V數字電壓，而功率部分使用 12V甚至更
高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。
這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓
側的MOS管也同樣會面對 1 和 2 中提到的問題。
在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的MOS驅動IC，似乎也沒有包含
gate電壓限制的結構。
于是我設計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。
電路圖如下：圖 1 用于NMOS的驅動電路
圖 2 用于PMOS的驅動電路
這里我只針對NMOS驅動電路做一個簡單分析：Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。
Q1 和Q2 組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3 和Q4 不會同時導
通。
R2 和R3 提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡
直的位置。
Q3 和Q4 用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3 和Q4 相對Vh和GND最低都只有一個Vce
的壓降，這個壓降通常只有 0.3V左右，大大低于 0.7V的Vce。
R5 和R6 是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5 對Q1 和Q2 的基極產
生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5 和R6 來
調節。
最后，R1 提供了對Q3 和Q4 的基極電流限制，R4 提供了對MOS管的gate電流限制，也就是
Q3 和Q4 的Ice的限制。必要的時候可以在R4 上面并聯加速電容。
這個電路提供了如下的特性：
1，用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。
3，gate電壓的峰值限制
4，輸入和輸出的電流限制
5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。
6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。
一種低電壓高頻率采用自舉電路的BiCMOS驅動電路
西安電子科技大學 CAD所潘華兵來新泉賈立剛
引言
在設計便攜式設備和無線產品時，提高產品性能、延長電池工作時間是設計人員需要面對的兩個
問題。DC-DC轉換器具有效率高、輸出電流大、靜態電流小等優點，非常適用于為便攜式設備
供電。目前DC-DC轉換器設計技術發展主要趨勢有：（1）高頻化技術：隨著開關頻率的提高，
開關變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升，動態響應得到改善。小功率DC-DC
轉換器的開關頻率將上升到兆赫級。（2）低輸出電壓技術：隨著半導體制造技術的不斷發展，
微處理器和便攜式電子設備的工作電壓越來越低，這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸
出電壓以適應微處理器和便攜式電子設備的要求。
這些技術的發展對電源芯片電路的設計提出了更高的要求。首先，隨著開關頻率的不斷提高，對
于開關元件的性能提出了很高的要求，同時必須具有相應的開關元件驅動電路以保證開關元件在
高達兆赫級的開關頻率下正常工作。其次，對于電池供電的便攜式電子設備來說，電路的工作電
壓低（以鋰電池為例，工作電壓 2.5～3.6V），因此，電源芯片的工作電壓較低。
MOS管具有很低的導通電阻，消耗能量較低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管
作為功率開關。但是由于MOS管的寄生電容大，一般情況下NMOS開關管的柵極電容高達幾十
皮法。這對于設計高工作頻率DC－DC轉換器開關管驅動電路的設計提出了更高的要求。
在低電壓ULSI設計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結構的邏輯電路和作為大容性負載
的驅動電路。這些電路能夠在低于 1V電壓供電條件下正常工作，并且能夠在負載電容 1～2pF
的條件下工作頻率能夠達到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文正是采用了自舉升壓電路，設計了一種
具有大負載電容驅動能力的，適合于低電壓、高開關頻率升壓型DC－DC轉換器的驅動電路。電
路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設計并經過Hspice仿真驗證，在供電電壓 1.5V ，負
載電容為 60pF時，工作頻率能夠達到 5MHz以上。自舉升壓電路
自舉升壓電路的原理圖如圖 1 所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，
利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，
且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下。
當VIN為高電平時，NMOS管N1 導通，PMOS管P1 截止，C點電位為低電平。同時N2 導通，
P2 的柵極電位為低電平，則P2 導通。這就使得此時A點電位約為VDD，電容Cboot兩端電壓
UC≈VDD。由于N3 導通，P4 截止，所以B點的電位為低電平。這段時間稱為預充電周期。
當VIN變為低電平時，NMOS管N1 截止，PMOS管P1 導通，C點電位為高電平，約為VDD。同
時N2、N3 截止，P3 導通。這使得P2 的柵極電位升高，P2 截止。此時A點電位等于C點電位加
上電容Cboot兩端電壓，約為 2VDD。而且P4 導通，因此B點輸出高電平，且高于VDD。這段
時間稱為自舉升壓周期。

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