標題: GaN光學研究 [打印本頁]
作者: jfkj2020 時間: 2021-1-22 10:55
標題: GaN光學研究
在藍寶石襯底上外延生長的氮化鎵（GaN）為原材料,可以通過華林科納研制的濕法清洗設備進行光電化學濕法刻蝕、光化學濕法刻蝕、小球模板法刻蝕以及烘干、旋涂、提拉、蒸鍍、沉積等半導體材料的工藝方法,初步實現了圖形化可控刻蝕GaN的目的,并利用III-V族半導體的優勢實現光致發光、光電流響應和表面增強拉曼散射等應用。
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GaN光學研究（1月22）.doc
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