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標題: 非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF [打印本頁]

作者: 英尚微電子 時間: 2021-6-16 17:13
標題: 非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF
MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度相結合，同時具有非易失性和節能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業、軍事和太空應用。

下面介紹一款Everspin非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF。

MR25H256ACDF是一個串口MRAM，內存陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口(SPI)的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)四個引腳接口公共汽車。串行MRAM實現了當今SPIEEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的數據保留。MR25H256ACDF已發布量產，推薦用于所有新設計。關于更多產品信息可咨詢everspin代理，同時為客戶提供產品相關技術支持。

MR25H256ACDF特征
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數據保留超過20年
•斷電時自動數據保護
•塊寫保護
•快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業和汽車1級和3級溫度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封裝。
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•工業級和AEC-Q1001級和3級選項
•濕度敏感度MSL-3

電氣規格
該設備包含保護輸入免受高靜態電壓或電場損壞的電路；但是，建議采取正常預防措施，避免將任何高于最大額定電壓的電壓施加到這些高阻抗(Hi-Z)電路上。

該設備還包含對外部磁場的保護。應采取預防措施以避免施加比最大額定值中規定的磁場強度更強的任何磁場。

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