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標題: 關于STC單片機EEPROM讀寫操作誤區 [打印本頁]

作者: 明記冷氣 時間: 2023-1-10 03:45
標題: 關于STC單片機EEPROM讀寫操作誤區
最近在使用STC EEPROM時踩了個坑
寫入的數據取出來值不一樣查看STC手冊時才發現
EEPROM 只能1寫成0 不能0 寫成1

正常需要寫數據到EEPROM需要先擦除數據整扇區512字節
再寫入數據才是正常的
那么扇區內的其他數據不是也同時被擦除拉
要保留扇區內其他數據  只能線讀出來修改好后再寫入整個扇區
STC 官方提供的例程只有讀 N個字節,寫N個字節 , 擦除三個基本操作
所以只能自己寫一個功能函數了
下面的就是根據官網的讀寫例程湊合寫的
已經測通過試過
希望可以給大家借鑒,如果有更高效的寫法可以分享出來一起探討

/*描述:讀出原有EEPROM數據  修改其中數據  重新寫入EEPROM
函數: EEPROM_save_write(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u8 len)
參數: EE_address:  要寫入的EEPROM的首地址.
   DataAddress: 要寫入數據的指針.
   len:             要寫入的長度
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_save_write(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u8 len)
{    u16 j;
      u8  i;
      u8  H[255];//扇區高位緩存
      u8  L[255];//扇區高位緩存
      u8  sq;    //操作扇區緩存
      //先讀出EEPROM原有扇區數據
      j=EE_address;
      sq=j/512;                                     //轉換成扇區
      EEPROM_read_n(sq<<9,L,255);    //讀出扇區低位
      EEPROM_read_n((sq<<9)+256,H,255); //讀出扇區高位
      for(i=0;i<len;i++){             //循環修改長度
if((j/256)%2)                   //判斷地址高位還是低位修改取出來的數值
         H[j%256+i]=*(DataAddress+i);
      else
         L[j%256+i]=*(DataAddress+i);
}
      EEPROM_SectorErase(sq*512);    //擦除所在扇區
      EEPROM_write_n(sq<<9,L,255);    //寫入新的扇區低位數據
      EEPROM_write_n((sq<<9)+256,H,255);//寫入新的扇區低位數據
}

作者: hjc5035 時間: 2023-1-10 15:57
EEPROM每個字節默認是FFH，所以只能寫0將1改成0，擦除是按扇區（512B）

作者: coody_sz 時間: 2023-1-13 16:33
STC的EEPROM是FLASH結構，所有的FLASH都是扇區擦除的，擦除后全部是FF，寫只能將1寫成0，不能寫成1.
多個字節的操作，先全部讀出來（最多是一個扇區512字節），修改，擦除，寫入。

FLASH是一種浮柵結構的FET（U盤、SD卡、TF卡、固態硬盤都是），一個FET一個bit，擦除就是將柵極放電，則FET截止，輸出1，寫入就是給柵極充電，則FET導通，輸出0。停電后，柵極電壓保持，一般能保持20年以上。

作者: wangxiangtan 時間: 2023-1-14 18:23

coody_sz 發表于 2023-1-13 16:33
STC的EEPROM是FLASH結構，所有的FLASH都是扇區擦除的，擦除后全部是FF，寫只能將1寫成0，不能寫成1.
多個 ...

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