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標(biāo)題: 求助nmos管柵極驅(qū)動芯片選型問題 [打印本頁]

作者: 柒月時間 時間: 2023-8-18 17:47
標(biāo)題: 求助nmos管柵極驅(qū)動芯片選型問題
各位大佬，是這樣的，之前柵極驅(qū)動使用了lm5060,電源輸入是60V左右,但在實際測試中，輸出連負(fù)載儀時，幾十W的情況下直接讓lm5060控制nmos關(guān)閉再開啟后，柵極驅(qū)動芯片出現(xiàn)了響聲，然后mos管會損壞，一直導(dǎo)通。
之后負(fù)載接功率電阻一百多W情況下，關(guān)閉再開啟mos管，是沒有問題的。但是負(fù)載接電機測試又不可以了。測試幾次，柵極驅(qū)動芯片和mos管都出現(xiàn)過損壞情況。
不帶負(fù)載情況下開關(guān)mos時，幾十A電流，60V長時間通過，電路板正常。
求助各位大佬，什么型號可以在電路輸出帶負(fù)載情況下關(guān)斷開啟mos管不會損壞啊？

作者: 1600277881 時間: 2023-8-18 21:23
上電路圖吧

作者: dandan-tcb 時間: 2023-8-19 09:03
接感性負(fù)載時，輸出mos管關(guān)斷時，該漏極會有較大的反向電壓（相對于阻性負(fù)載）。而大功率的MOS管，其米勒電容是比較大的（或者說Cgd）。此時這個高壓會通過功率mos管的電容Cgd加載到驅(qū)動芯片上，進而損壞驅(qū)動芯片。
簡單的處理是在驅(qū)動芯片的輸出端加TVS來吸收就行了。假如你驅(qū)動芯片輸出的電壓是10V，那你就加11V或12V的TVS。

作者: 老愚童63 時間: 2023-8-19 17:45
UCC27511可以提供最大4A拉電流8A灌電流，很適合驅(qū)動MOS管或者IGBT.

作者: 邵123456 時間: 2023-8-21 09:49
首先，接電機的時候，負(fù)載屬于感性的，Nmos管在開通和關(guān)斷的時候，在MOS管的D端會出現(xiàn)一個很大的di/dt，這個是很危險的，相當(dāng)于讓MOS管瞬間承受一個很大的電流尖峰，然后這個di/dt會順著米勒電容影響MOS管的關(guān)斷，導(dǎo)致出現(xiàn)平臺震蕩現(xiàn)象，進而損壞MOS管甚至是驅(qū)動IC，根據(jù)樓主的描述，可知樓主的情況屬于低壓大電流，關(guān)斷時候是非常難做的搞不好就會損壞MOS管，解決這類問題，一般需要多做測試，去檢測MOS管關(guān)斷時候平臺震蕩的波形，把波形調(diào)試好，就可以減少MOS損壞的情況，MOS選型的話可以考慮Cgs電容大點的在關(guān)斷的時候可以有效降低di/dt

作者: yzwzfyz 時間: 2023-8-21 10:25
上圖更利于它人分析。圖是最好的語言。

作者: wufa1986 時間: 2023-8-23 15:49
應(yīng)該是上升過程太慢了

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