學過模擬電路，但都忘得差不多了。重新學習MOS管相關知識，大多數是整理得來并非原創。如有錯誤還請多多指點！
先上一張圖
一、 一句話MOS管工作原理 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可以了。
二、 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。
2，MOS開關管損失 MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。 導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。 3，MOS管驅動 MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。 5，MOS管應用電路 參數含義： Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻 |
PS 百度知道的一些
P溝道
P溝道的管子使用的時候你只需要記住幾件事情：當柵極（G）的電壓比漏極的電壓(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就開始導通，壓差越大，G和S（源極）之間的電阻就越小，損耗也就越小，但是不能太大。還有一件事情就是G和S之間的最大耐壓，元器件手冊上有說明。最后就是G和S之間容許通過的最大電流，這個元器件手冊上寫的也很清楚。說的夠明白了。
N溝道
結構上，N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似,其區別僅在于柵－源極間電壓vGS=0時，耗盡型MOS管中的漏－源極間已有導電溝道產生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現導電溝道。
原因是制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時，在這些正離子產生的電場作用下，漏－源極間的P型襯底表面也能感應生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD。如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。當vGS負向增加到某一數值時，導電溝道消失，iD趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵-源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場效應管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情況下均能實現對iD的控制，而且仍能保持柵-源極間有很大的絕緣電阻,使柵極電流為零。這是耗盡型MOS管的一個重要特點。