場效應管在mpn中，它的長相和我們前面講的三極管極像，所以有不少修mpn的朋友好長時間還分不清楚，統一的把這些長相相同的三極管、場效應管、雙二極管、還有各種穩壓IC統統稱作“三個腳的管管”，呵呵，如果這樣麻木不分的話，你的維修技術恐怕很難快速提高的哦！
好了，說到這里場效應管的長相恐怕我就不用貼圖了，在電路圖中它常用
表示，關于它的構造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據使用的場合要求不同做出來的種類繁多，特性也都不盡相同；我們在mpn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關使用，所以需要通過電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強型的場效應管（MOS型），它的電路圖符號： 
仔細看看你會發現，這兩個圖似乎有差別，對了，這實際上是兩種不同的增強型場效應管，第一個那個叫N溝道增強型場效應管，第二個那個叫P溝道增強型場效應管，它們的的作用是剛好相反的。前面說過，場效應管是用電控制的開關，那么我們就先講一下怎么使用它來當開關的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個腳，這三個腳分別叫做柵極（G）、源極（S）和漏極（D），mpn中的貼片元件示意圖是這個樣子： 
1腳就是柵極，這個柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了，去掉電壓就關斷了，而P溝道的剛好相反，在柵極加上電壓就關斷（高電位），去掉電壓（低電位）就相通了！
我們常見的2606主控電路圖中的電源開機電路中經常遇到的就是P溝道MOS管： 
這個圖中的SI2305就是P溝道MOS管，由于有很多朋友對于檢查這一部分的故障很茫然，所以在這里很有必要講一下它的工作原理，來加深一下你的印象！
圖中電池的正電通過開關S1接到場效應管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的1腳柵極通過R20電阻提供一個正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續通過，3v穩壓IC輸入腳得不到電壓所以就不能工作不開機！這時，如果我們按下SW1開機按鍵時，正電通過按鍵、R11、R23、D4加到三極管Q2的基極，三極管Q2的基極得到一個正電位，三極管導通（前面講到三極管的時候已經講過），由于三極管的發射極直接接地，三極管Q2導通就相當于Q1的柵極直接接地，加在它上面的通過R20電阻的電壓就直接入了地，Q1的柵極就從高電位變為低電位，Q1導通電就從Q1同過加到3v穩壓IC的輸入腳，3v穩壓IC就是那個U1輸出3v的工作電壓vcc供給主控，主控通過復位清0，讀取固件程序檢測等一系列動作，輸處一個控制電壓到PWR_ON再通過R24、R13分壓送到Q2的基極，保持Q2一直處于導通狀態，即使你松開開機鍵斷開Q1的基極電壓，這時候有主控送來的控制電壓保持著，Q2也就一直能夠處于導通狀態，Q1就能源源不斷的給3v穩壓IC提供工作電壓！SW1還同時通過R11、R30兩個電阻的分壓，給主控PLAY ON腳送去時間長短、次數不同的控制信號，主控通過固件鑒別是播放、暫停、開機、關機而輸出不同的結果給相應的控制點，以達到不同的工作狀態！
結型場效應管（N溝道JFET）工作原理：
可將N溝道JFET看作帶“人工智能開關”的水龍頭。這就有三部分：進水、人工智能開關、出水，可以分別看成是JFET的 d極 、g 極、s極。
“人工”體現了開關的“控制”作用即vGS。JFET工作時，在柵極與源極之間需加一負電壓（vGS<0），使柵極、溝道間的PN結反偏，柵極電流iG≈0，場效應管呈現高達107Ω以上的輸入電阻。在漏極與源極之間加一正電壓（vDS>0），使N溝道中的多數載流子（電子）在電場作用下由源極向漏極運動，形成電流iD。iD的大小受“人工開關”vGS的控制，vGS由零往負向增大時，PN結的耗盡層將加寬，導電溝道變窄，vGS絕對值越大則人工開關越接近于關上，流出的水（iD）肯定越來越小了，當你把開關關到一定程度的時候水就不流了。
“智能”體現了開關的“影響”作用，當水龍頭兩端壓力差（vDS）越大時，則人工開關自動智能“生長”。vDS值越大則人工開關生長越快，流水溝道越接近于關上，流出的水（iD）肯定越小了，當人工開關生長到一定程度的時候水也就不流了。理論上，隨著vDS逐漸增加，一方面溝道電場強度加大，有利于漏極電流iD增加；另一方面，有了vDS，就在由源極經溝道到漏極組成的N型半導體區域中，產生了一個沿溝道的電位梯度。由于N溝道的電位從源端到漏端是逐漸升高的，所以在從源端到漏端的不同位置上，漏極與溝道之間的電位差是不相等的，離源極越遠，電位差越大，加到該處PN結的反向電壓也越大，耗盡層也越向N型半導體中心擴展，使靠近漏極處的導電溝道比靠近源極要窄，導電溝道呈楔形。所以形象地比喻為當水龍頭兩端壓力差（vDS）越大，則人工開關自動智能“生長”。
當開關第一次相碰時，就是預夾斷狀態，預夾斷之后id趨于飽和。
當vGS>0時，將使PN結處于正向偏置而產生較大的柵流，破壞了它對漏極電流iD的控制作用，即將人工開關拔出來，在開關處又加了一根進水水管，對水龍頭就沒有控制作用了。
絕緣柵場效應管(N溝道增強型MOSFET)工作原理：
可將N溝道MOSFET看作帶“人工智能開關”的水龍頭。相對應情況同JFET。與JFET不同的的是，MOSFET剛開始人工開關是關著的，水流流不出來。當在柵源之間加vGS>0， N型感生溝道（反型層）產生后，人工開關逐漸打開，水流（iD）也就越來越大。iD的大小受“人工開關”vGS的控制，vGS由零往正向增大時，則柵極和P型硅片相當于以二氧化硅為介質的平板電容器，在正的柵源電壓作用下，介質中便產生了一個垂直于半導體表面的由柵極指向P型襯底的電場，這個電場排斥空穴而吸引電子，P型襯底中的少子電子被吸引到襯底表面，這些電子在柵極附近的P型硅表面便形成了一個N型薄層，即導通源極和漏極間的N型導電溝道。柵源電壓vGS越大則半導體表面的電場就越強，吸引到P型硅表面的電子就越多，感生溝道將越厚，溝道電阻將越小。相當于人工開關越接近于打開，流出的水（iD）肯定越來越多了，當你把開關開到一定程度的時候水流就達到最大了。MOSFET的“智能”性與JFET原理相同，參上。
絕緣柵場效應管(N溝道耗盡型MOSFET)工作原理：
基本上與N溝道JFET一樣，只是當vGS>0時，N溝道耗盡型MOSFET由于絕緣層的存在，并不會產生PN結的正向電流，而是在溝道中感應出更多的負電荷，使人工智能開關的控制作用更明顯。
開關只有兩種狀態通和斷，三極管和場效應管工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。開關電路用于數字電路時，輸出電位接近0V時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字集成電路內部的晶體管都工作在開關狀態。
晶體管飽和的條件, V(工作電壓) / Rc(負載電阻阻值) = Ic, Ic / β < Ib .
晶體管截止的條件, Ic ≈ 0 ; Ib ≤ 0 (基極不能懸浮至少有電阻接地,必要時可用反偏置)
N溝道場效應管NFET，DS間加正向電壓，GS極間加電壓Vgs，
例如Vgs－Vdson＝5v，則NFET導通，等效于三極管的飽和導通狀態。做壓控線性電阻和無觸點的、閉合狀態的電子開關。
當Vgs小于夾斷電壓時，則NFET截止。 做無觸點的、接通狀態的電子開關
