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標題: 單片機中數據存儲介質區別 [打印本頁]

作者: 51黑黑黑 時間: 2016-2-24 17:56
標題: 單片機中數據存儲介質區別
經常看到，現在的單片機尤其是性能比較強大的單片機同時擁有多種存儲介質，必須具備的肯定有兩種啦，RAM與ROM;
首先是RAM,分為兩種，靜態隨機存儲器（SRAM）與動態隨機存儲器（DRAM），顧名思義，動態隨機存儲器需要不停的刷新，靜態功耗比較大，所以單片機中大都采用靜態隨機存儲器，不需要刷新，靜態功耗相對來說很低。此外，靜態隨機存儲器相比動態隨機存儲器也有其缺點，電路復雜集成度低，所以一般容量較小。------另：SRAM的讀取速度相當快，由于它的造價高，主要用作計算機中的高速緩存存儲器(Cache)。DRAM雖然讀取速度較慢，但它的造價低廉，集成度高，宜于作為系統所需的大容量“主存”，所以DRAM主要制造成計算機中的內存條，目前，市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通內存條。
重點來說說ROM，以前的紫外線擦除EPROM略過不談，重點表一表現在單片機中主要用的EEPROM與FLASH，其實FLASH也是電可擦除，掉電不失的數據存儲器，是一種廣義上的ROM，為做區分，稱其為FLASH。
EEPROM的特點是可以隨意訪問和修改其中的任何一個字節，可以往每一個bit位中寫0或寫1，操作比FLASH簡單快捷，通常用于存放需要頻繁改寫的數據。但因其組成電路復雜成本高，所以容量一般都不是很大，一般都是幾十K字節或幾百K字節，很少有超過512k字節的。
FLASH也是電可擦除的一種廣義上的ROM,分為兩種NORFLASH，與NANDFLASH；
NORFLASH具備地址線與數據線，可以像RAM一樣隨機訪問每一個字節，但是擦除的時候是按塊來擦除的，所以一次簡化了電路，數據密度更高，成本也降低了，一般上M的存儲器都是FLASH。
NANDFLASH地址線與數據線是復用的，讀取按頁來讀取，擦除按塊來擦除，所以電路更簡單，數據密度更大了，大容量的一般都是nandflash，而2M到12M的都是NOR FLASH。
NANDFLASH地址線與數據線是復用的，所以在讀取速度上要慢一些,由于nor flash 可以對字節進行操作，所以程序可以直接在norflash中運行，而不需要將其調入到RAM后執行。而在nand flash 放入操作系統等。

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