1 比較器
斷電時立即產生中斷，通知CPU保存程序運行過程中的重要數據（由于電路板 上有電容存儲能量，外部斷電時單片機還可繼續運行一個短暫時間），我們選擇 數據保存位置為單片機內部DataFlash存儲器，舉個例子：某產品需要進行壽命 測試，產品運行一個循環單片機記錄一次，但運行過程中可能會突然斷電，要求 重新上電后壽命測試繼續運行，并且要求實際運行次數準確，這就需要用到單片 機內部比較器與DataFlash存儲器斷電瞬間存儲數據的功能。
表7-1 比較控制寄存器1：CMPCR1 （復位值是：0000 0000B）
位 | D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 |
位名稱 | CMPEN | CMPIF | PIE | NIE | PIS | NIS | CMPOE | CMPRES |
關閉。
n CMPIF ：比較器中斷標志位。當比較器的比較結果由LOW變成HIGH時，若是PIE被設置成
1，那么內部的一個 叫做CMPIF_p的位會被設置成1，當比較器的比較結果由HIGH變成LOW 時，若是NIE被設置成1，那么內部的一個 叫做CMPIF_n的位會被設置成1，當CPU去讀此中斷 標志位CMPIF時，會讀到(CMPIF_p || CMPIF n)，當CPU對此中斷標志位CMPIF寫0后， CMPIF_p以及CMPIF_n都會被清除為O，而中斷產生的條件是[(EA==1)&& (((PIE=l)&&(CMPIF_p==l)) || ((NIE==1)&&(CMPIF_n==l)))]，CPU進入中斷函數后，并不 會自動清除此CMPIF標志，用戶必須用軟件寫”0”去清除它。
= 1產生中斷，0：禁用比較器由LOW變HIGH的事件引發CMPIF_p = 1產生中斷。
n NIE：比較器下降沿中斷使能位。1,使能比較器由HIGH變LOW的事件引發CMPIF_n
= 1產生中斷；0：禁用比較器由HIGH變LOW的事件引發CMPIF_n = 1產生中斷。
n PIS: 比較器正極選擇位。1：選擇ADC_CONTR[2:0]所選擇到的ADC輸入引腳作為比 較器的正極輸入源; 0：選擇外部P5.5為比較器的正極輸入源。
n NIS: 比較器負極選擇位。1：選擇外部管腳P5.4為比較器的負極輸入源，0：選擇 內部約1.27V的BandGap參考電壓為比較器的負極輸入源。
n CMPOE：比較結果輸出控制位。1,使能比較器的比較結果輸出到P1.2， 0,禁止比 較器的比較結果輸出。
n CMPRES：比較器比較結果標志位。1： CMP+的電平高于CMP-的電平(或內部1.27V 的BandGap參考電壓)； 0： CMP+的電平低于CMP-的電平(或內部1.27V的BandGap 參考電壓)。此bit是一個“只讀”的bit;軟件對它做寫入的動作沒有任何意義， 軟件所讀到的結果是“經過延時控制后的結果”，而非模擬比較器的直接輸出結 果。
出，比較器的輸出是經過延時控制后的結果，而非模擬比較器的直接輸出結果。
n DISFLT：去除比較器輸出的0.luS 延時控制。1：去除比較器輸出的O.luS延時控制(可以 讓比較器速度有少許提升)；0：比較器的輸出有O.luS延時控制。
n LCDTY[5:0]：比較器輸出端 Level-Change control的延時時鐘選擇，假設設置值為 bbbbbb，當比較器由LOW變HIGH后必須偵測到HIGH持續至少bbbbbb個時鐘，此芯片線路才認定 比較器的輸出是由LOW轉成HIGH，如果在bbbbbb個時鐘內，模擬比較器的輸出又回復到LOW， 此線路認為甚么都沒發生，視同比較器的輸出一直維持在LOW，當比較器由HIGH變LOW，必須 偵測到LOW持續至少bbbbbb個時鐘，此線路才認定比較器的輸出是由HIGH轉成LOW，如果在 bbbbbb個時鐘內，比較器的輸出又回復到HIGH，此線路認為甚么都沒發生，視同比較器的輸 出一直維持在HIGH. 若是設定成000000,代表沒有Level-Change Control。
CMPCR2=0x00; // 0000 0000,比較器只延時0.1uS
STC15F2K60S2單片機內部集成了1K字節的數據Flash存儲器（也稱作DataFlash）可當作EEPROM使 用，地址范圍是0000H～03FFH，與程序Flash存儲器空間是分開的，這1K字節的數據Flash存儲器分 為2個扇區，每個扇區包含512字節，對應的地址范圍分別為：第一扇區：0000H～01FFH，第二扇區：
Flash存儲器的操作提示：
① 對Flash存儲器進行字節編程時，只能將1改為0，或1保持為1、0保持為0。如果該字節是
② 如果在一個扇區中存放了大量的數據，某次只需要修改其中的一個字節或一部分字節時，則另外 的不需要修改的數據須先讀出放在單片機的RAM中，然后擦除整個扇區，再將需要保留的數據和需修 改的數據一并寫回該扇區中，這時，每個扇區使用的字節數越少越方便（不需讀出一大堆需保留數 據）。
7.2.2 DataFlash操作實驗（斷電瞬間存儲數據) 例7.3 STC15F2K60S2單片機內部DataFlash讀寫測試
本程序上電時先擦除DataFlash的第1個扇區，然后將第1個扇區的前半扇區與后半扇區分別寫入數 據0～255，然后讀出數據并判斷與寫入的數據是否一致，并通過串口助手顯示程序運行過程中的數 據與最終結果是否正常，R/C時鐘頻率22.1184MHz，串口通信波特率9600。
#define EEP_address 0x0000 // 主程序從0000地址開始讀寫數據
/////////////////////////// 主程序：Flash_Test.C ///////////////////////////////
#include "FLASH.H"
#include "uart_debug.h" void main()
{
unsigned char a;
unsigned int i;
UART_init(); // 波特率：9600 /22.1184MHZ（占用定時器1） UART_Send_Str("開始擦除\n");
EEPROM_SectorErase(EEP_address); // 扇區擦除 UART_Send_Str("擦除完畢\n");
for (i=0; i<512; i++) // 檢測是否擦除成功(全FF檢測)
說明：IAP15W4K58S4與STC15F2K60S2內部DataFlash唯一不同的只有地址值不一樣，為了防 止誤寫有效程序區，程序編譯完成后進入軟件調試環境，打開存儲器窗口，我們會看到有 效的程序代碼都存放在存儲單元地址的低端，從原則上來說，凡是地址高端的FLASH空白區 域都可以當做EEPROM使用，對于IAP15W4K58S4芯片，具有58K字節的FLASH存儲空間，由于
1K=1024字節，58×1024=59392字節，存儲單元地址從0開始算起，地址范圍是0～59391， 用16進制表示為0000H～E7FFH，因為每個扇區包含512個字節，59392/512=116個扇區，最 后3個扇區地址范圍如表7-6所示,一般我們使用最后3個扇區地址已經夠用了，比如本例， 我們使用最后一個扇區，程序中使用代碼：
#define EEP_address 0xE600 即可。
表7-6 IAP15W4K58S4單片機內部DataFlash地址末尾3個扇區地址
第114扇區 |
| 第115扇區 |
| 第116扇區 |
|
起始地址 | 結束地址 | 起始地址 | 結束地址 | 起始地址 | 結束地址 |
E200H | E3FFH | E400H | E5FFH | E600H | E7FFH |
void cmp()interrupt 21 | // | 較器中斷函數 |
{ |
|
|
CMPCR1 &=0xBF; | // | 清除中斷標志， 1011 1111 |
LED0 = CMPCR1&0x01; | // | 將比較器結果CMPRES輸出到測試口顯示 |
if (LED0==0) |
| // 掉電 |
{ |
|
|
EA=0; | // | 防止更高級的中斷打斷 |
EA=1; // 進入正常工作時打開總中斷 EEPROM_SectorErase(EEP_address); // 當掉電后電壓降落比較快時,在這里先擦除 UART_Send_StrNum("計數值：",Power_up.times);
// 串口輸出計數值，波特率：9600 /22.1184MHZ
{
delay1S();
Power_up.times++; // 秒計時器加1
UART_Send_StrNum("計數值：",Power_up.times);
}
}
