高精度的功率電阻是用于檢測(cè)電流的最常用的元件，也稱(chēng)電流取樣電阻，為了減小功率損耗，電流檢測(cè)信號(hào)的最大幅值較小，對(duì)于一些大電流的應(yīng)用，有的甚至小到25mV、30mV。由于功率地回路中有較大的開(kāi)關(guān)電流，會(huì)干擾電流檢測(cè)信號(hào)，從而影響電流檢測(cè)信號(hào)的精度，因此電流檢測(cè)電阻通常不會(huì)放在地端，此外，電流檢測(cè)電阻放在地端，會(huì)使系統(tǒng)的地和電源芯片的地不共地，電源芯片的地會(huì)被電流檢測(cè)電阻抬高，電流檢測(cè)電阻流過(guò)的開(kāi)關(guān)大電流，使電源芯片的地會(huì)較大幅度的隨系統(tǒng)工作而變化，電源芯片易受到干擾，嚴(yán)重的時(shí)候會(huì)導(dǎo)致電源芯片無(wú)法正常工作。
圖1：電流取樣電阻
設(shè)計(jì)中，電流檢測(cè)的電阻的選取要考慮到其值隨溫度的變化和精度的要求。布線的時(shí)候，要用KELVIN接法，直接從電阻的管腳引出布線，而不要從連接到電阻管腳的銅皮引出布線。電阻引腳的焊盤(pán)的焊錫的用量也會(huì)影響電流檢測(cè)的精度。同時(shí)選出用ESL盡量小或無(wú)感電阻。
電流互感器也稱(chēng)為電流變壓器，主要應(yīng)用于大功率電路，檢測(cè)大的電流。電流變壓器功率損耗小效率高，能夠保持良好的電流檢測(cè)波形，具有較寬的帶寬，檢測(cè)電阻可以用較大的值，并能將整個(gè)瞬態(tài)電流包括直流分量耦合次邊的檢測(cè)電阻上，同時(shí)具有變壓器有隔離的作用，因此可以連接到任何地方。
電流變壓器的缺點(diǎn)是需要電流變壓器和一些額外的元件，成本高，此外，電流變壓器通常工作于正激方式，要求在每個(gè)電流脈沖周期，磁芯必須復(fù)位，也就是要求每個(gè)周期，電流脈沖必須過(guò)0，磁芯才能夠復(fù)位。同時(shí)，當(dāng)變換器工作于高的占空比時(shí)，電流變壓器磁芯復(fù)位的時(shí)間短，可能導(dǎo)致磁芯無(wú)法及時(shí)復(fù)位，這樣就必須外加強(qiáng)迫磁復(fù)位電路，保證每個(gè)周期電流變壓器在起始時(shí)可靠復(fù)位，從而保證電流檢測(cè)的精度。電流變壓器需要激磁電流，因此也會(huì)影響電流檢測(cè)的精度。
圖2：電流互感器
對(duì)于BUCK變換器，電流變壓器與MOSFET串聯(lián)，檢測(cè)輸入電流。對(duì)于BOOST變換器，電流變壓器也要與MOSFET串聯(lián)，檢測(cè)輸入電流。BUCK變換器中，電流變壓器不能與輸出電感相串聯(lián)來(lái)檢測(cè)輸出電感的電流，BOOST變換器中，電流變壓器不能與輸入電感相串聯(lián)來(lái)檢測(cè)輸入電感的電流。當(dāng)變換器工作于CCM時(shí)，BUCK變換器和BOOST變換器電感中的電流均為較大的直流分量上疊加了較小的交流充放電三角形波，這種大于0的直流電流會(huì)使磁芯不能夠復(fù)位，磁芯會(huì)逐漸的飽和，從而無(wú)法正確的檢測(cè)電流。
由于DCDC變換器都有一個(gè)功率電感，也可以在電路的功率電感上串聯(lián)一個(gè)繞組用于電流檢測(cè)，這樣可以省去專(zhuān)用的電流變壓器，問(wèn)題是帶電流檢測(cè)的功率電感需要定制，成本高。
如果采用高端的功率MOSFET的導(dǎo)通電阻作為電流取樣電阻，這樣可以省去額外的電流取樣電阻，從而提高效率。但是由于MOSFET的導(dǎo)通電阻值比較分散，而且隨溫度的變化也會(huì)在較大范圍內(nèi)波動(dòng)，因此電流取樣的精度差，電流取樣信號(hào)在很寬的范圍內(nèi)波動(dòng)，批量生產(chǎn)時(shí)，有些產(chǎn)品可能在輸出電流不到全載時(shí)就提前進(jìn)入限流保護(hù)，無(wú)法在全載時(shí)正常工作；有些產(chǎn)品在系統(tǒng)過(guò)載時(shí)無(wú)法提供可靠的限流保護(hù)。圖3為一個(gè)MOSFET的結(jié)溫與導(dǎo)通電阻歸一化系數(shù)表，型號(hào)：AOL1454，VDS = 40V，ID = 50A， RDS(ON) =7.5mOhm。由圖可知，從-20C到100C，歸一化系數(shù)從0.8到1.3，相差1.6倍。
同時(shí)，對(duì)于一個(gè)輸入電壓，輸出電壓和電流已經(jīng)確定的應(yīng)用而言，要計(jì)算最大的峰值電流，然后由電流參考電壓計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電流取樣電流阻，盡管這個(gè)電流阻有一定的變化范圍，但有時(shí)候并不能找到與其相匹配的，具有相應(yīng)的RDSON的功率MOSFET，做折衷處理時(shí)，或者選取RDSON比計(jì)算出的RS大的MOSFET，有可能導(dǎo)致系統(tǒng)輸出電流不到滿載時(shí)就提前進(jìn)入限流保護(hù)，無(wú)法在全載時(shí)正常工作；或者選取RDSON比計(jì)算出的RS小的MOSFET，成本高，而且在系統(tǒng)過(guò)載時(shí)無(wú)法提供可靠的限流保護(hù)。
圖3：結(jié)溫與導(dǎo)通電阻歸一化系數(shù)
解決的方法是PWM控制器的電流取樣的參考電壓可以在外部調(diào)節(jié)，按照一般的設(shè)計(jì)流程，確定系統(tǒng)的限流點(diǎn)，在電流參考電壓可以調(diào)節(jié)的范圍的中間點(diǎn)計(jì)算電流取樣電阻值，然后選取相應(yīng)的RDSON的MOSFET，MOSFET選定后，通過(guò)選取MOSFET的RDSON和其實(shí)際的最高工作溫度系數(shù)，計(jì)算實(shí)際的最大的RDSON，再根據(jù)限流點(diǎn)和MOSFET最大的RDSON，計(jì)算要求的電流參考電壓。然后調(diào)整外部的電阻分壓器的阻器，得到要求的電流參考電壓。
4 功率電感的直流等效串聯(lián)電阻
功率電感的等效串聯(lián)電阻DCR作為電流取樣電阻，可以省去額外的電流取樣電阻，從而提高效率。同樣，由于等效串聯(lián)電阻的導(dǎo)通電阻值比較分散，而且隨溫度的變化也會(huì)在較大范圍內(nèi)波動(dòng)，因此電流取樣的精度差，電流取樣信號(hào)在很寬的范圍內(nèi)波動(dòng)，批量生產(chǎn)時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生在全載時(shí)不能正常工作或過(guò)載時(shí)無(wú)法提供可靠的限流保護(hù)問(wèn)題。
同樣，在選取電感時(shí)，在電感值和飽和電流值所限定的范圍內(nèi)，更難找到與設(shè)計(jì)的限流點(diǎn)所要求取樣電阻相匹配的等效串聯(lián)電阻，更多時(shí)候需要定制，成本高。
解決的最好方法也是PWM控制器的電流取樣的參考電壓可以在外部調(diào)節(jié)，調(diào)整外部的電阻分壓器的阻器，得到合適的電流參考電壓，在滿足相應(yīng)的電感值，飽和電流值和DCR的前提條件下，得到要求的限流點(diǎn)。
電阻分壓器將DCR的電壓進(jìn)行分壓，然后由電容C1濾波，電容C1的電壓為送入到PWM電流放大器的電流取樣信號(hào)。
Vc1=R2*VDCR/(R1+R2)
另外，為了滿足濾波器時(shí)間的要求，必須使：
R1*R2*C1/(R1+R2)=L/RDCR
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