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NMOS管的導(dǎo)通電壓測(cè)試問題

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發(fā)布時(shí)間: 2020-5-14 13:28

正文摘要:

這是一個(gè)NMOS管的資料，在測(cè)試的VGS(th)的時(shí)候，這個(gè)VDS的電壓應(yīng)該用多少V的？ 測(cè)試條件上面只寫了：ID=250uA, VDS=VGS， 也沒標(biāo)明VDS用多少V電壓。 還望各位高手可以指教一下，非常感謝了。

回復(fù)

ID:213173 發(fā)表于 2020-5-15 10:45
Gate Source Threshold Voltage 柵源閾值電壓。圖表清楚表明VGS(th) -1.0，ID=250uA, VDS=VGS，VDS當(dāng)然也是-1.0V。沙發(fā)已指出錯(cuò)誤，此管是PMOS非NMOS。
ID:153181 發(fā)表于 2020-5-15 09:40
首先需要糾正一下，你發(fā)的ZXMP4A16G是PMOS;

其實(shí)是你說(shuō)的測(cè)試電壓?jiǎn)栴}，手冊(cè)已經(jīng)給出電壓的范圍了，不要超出電壓范圍就可以

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