cjjdemon 發(fā)表于 2020-7-31 18:15
通過負(fù)載接入檢測功能就行，具體方式就是利用MCU的IO在放電MOS和充電MOS的共漏極進行高低電平監(jiān)控，就知 ...

你是搞BMS那塊的吧

這個電路可以用啊

QWE4562012 發(fā)表于 2020-7-31 09:26
當(dāng)接入負(fù)載時，PDSG會先拉高，-----------這個為什么

通過負(fù)載接入檢測功能就行，具體方式就是利用MCU的IO在放電MOS和充電MOS的共漏極進行高低電平監(jiān)控，就知道有沒有負(fù)載接入啦，一旦檢測到負(fù)載，而且能夠正常通信的話，就把PDSG拉高就開始預(yù)放了

1692483014 發(fā)表于 2020-7-31 10:26
昨天樓主私下里找我看了看這個電路，我整體看了一下，沒有結(jié)合軟件去理解，故只針對硬件說一下我的理解，從 ...

辛苦了  受益匪淺  謝謝

昨天樓主私下里找我看了看這個電路，我整體看了一下，沒有結(jié)合軟件去理解，故只針對硬件說一下我的理解，從我理解的各個網(wǎng)絡(luò)的含義，以及相應(yīng)的控制原理：

1.        對外供電網(wǎng)絡(luò)含義：
P+ : 對外放電正極，用于對其它儀器供電；
PACK- : 對外放電負(fù)極，P+輸出以此為參考地；
2.        對內(nèi)充電網(wǎng)絡(luò)含義：
CHG_IN：對內(nèi)充電電源輸入口：
TDA : 通過內(nèi)部的網(wǎng)絡(luò)推斷，這可能是一個input/output雙向口，主要針對充電禁能的管理；（具體要根據(jù)軟件一起分析，甚至要結(jié)合外接的充電設(shè)備一起分析才行。）
CHG_CHK : 通過內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)推斷，這是一個input檢測口，主要針對充電是否進行進行檢測；（具體要根據(jù)軟件一起分析，甚至要結(jié)合外接的充電設(shè)備一起分析才行。）

一、關(guān)于CHG_CHK、CHG_IN_CHK、CTL_CHG_C1、CTL_CHG_C2組成的模塊的理解：
1.        MCU通過CHG_IN_CHK檢測CHG_CHK的電平，來獲取充電狀態(tài)；
2.        CTL_CHG_C1和CTL_CHG_C2則可以調(diào)整CHG_CHK的下拉電阻的值：
CTL_CHG_C1=0且CTL_CHG_C2=0時，CHG_CHK的下拉電阻為10.76K；
CTL_CHG_C1=1且CTL_CHG_C2=0/1時，CHG_CHK的下拉電阻為0.54K；
CTL_CHG_C1=0且CTL_CHG_C2=1時，CHG_CHK的下拉電阻為5.5K；
說明CHG_CHK是一個可以通過調(diào)整其下拉電阻而改變其輸出狀態(tài)，進而通過CHG_IN_CHK檢測這種狀態(tài)，來判斷外部充電器處于何種狀態(tài)，以方便內(nèi)部mcu做出調(diào)整，具體結(jié)合mcu軟件與外部充電設(shè)備的電路綜合分析。

二、關(guān)于TDA、DISCHG_IN_CHK、CTL_DISCHG_COM組成的模塊的理解：
1.        DISCHG_IN_CHK應(yīng)該可以檢測TDA的電平；
2.        CTL_DISCHG_COM可控制TDA的電平，可將其強拉為低電平；
3.        所以，猜測TDA是一個雙向口，可以在輸出時檢測其電平狀態(tài)，比如外部的充電設(shè)備將TDA弄一個弱上拉，但是內(nèi)部的MCU可通過CTL_DISCHG_COM=1來強制將TDA拉低，這樣外部充電設(shè)備檢測到TDA是低電平，它就關(guān)閉自身的充電電路，不對電池包進行充電了。
4.        猜測mcu主動將CTL_DISCHG_COM拉低來停止充電是因為自身可能發(fā)生了某種故障。

三、關(guān)于WAKE、B+、P+、KEY1組成的模塊的理解：
1.        B+為電池包的正極；
2.        P+為對外輸出正極；
3.        控制B+到P+的連通/斷開，則是控制內(nèi)部電池包對外部用電設(shè)備放電/不放電；
4.        對于B+到P+供電模塊，我認(rèn)為是這樣控制的：首先按下KEY1按鍵，B+和P+連通，那么則對外部設(shè)備供電了。因為按鍵是短暫的，我認(rèn)為這個短暫的供電可以讓外接設(shè)備的單片機工作起來，但是電流并不大，因為有R56的存在，之后外部設(shè)備可能會通過TDA給到電池包MCU反饋，MCU通過WAKE來進一步供電，即使KEY1松開也沒事兒了。待MCU檢測(檢測方法猜測是通過TDA或者DISCHG_IN_CHK)到外部設(shè)備已準(zhǔn)備就緒后，則準(zhǔn)備開始供電了，此時MCU通過SMBC和SMBD發(fā)送指令給BQ40ZB0，控制其DSG和PACK兩個引腳，使得Q11、Q12、Q14等導(dǎo)通給P+進行大功率供電，然后MCU將wake拉低釋放即可。上述是猜測，必須核對MCU程序才能確定是否準(zhǔn)確。

四、關(guān)于充電模塊的理解：
1.        控制CHG_IN到B+的連通/斷開，則是控制外部充電器對電池包的充電/不充電；
2.        包括預(yù)充電和正式充電兩個階段；
3.        充電器插入后，通過TDA或者CHG_CHK來檢測充電器的狀態(tài)；
4.        檢測到充電器接入后，首先啟動預(yù)充電，通過IN_CHG_PRE拉低來啟動預(yù)充電（低電平應(yīng)該是MCU的未上電狀態(tài)的默認(rèn)電平），之后MCU啟動，通過SMBC和SMBD發(fā)送指令給BQ40ZB0，控制其CHG引腳控制Q18導(dǎo)通，開啟大電流充電，然后再將IN_CHG_PRE拉高就可以了，充電會持續(xù)進行。上述是猜測，必須核對MCU程序才能確定是否準(zhǔn)確。

cjjdemon 發(fā)表于 2020-7-30 18:26
圖1就是BQ芯片的電流采樣回路
圖2，如果PACK反接，PACK+接成了PACK-，那么GND就會接PACK+，這時候Q9的G極 ...

當(dāng)接入負(fù)載時，PDSG會先拉高，-----------這個為什么

cjjdemon 發(fā)表于 2020-7-30 18:26
圖1就是BQ芯片的電流采樣回路
圖2，如果PACK反接，PACK+接成了PACK-，那么GND就會接PACK+，這時候Q9的G極 ...

你對BMS很了解  就是這個行業(yè)的吧

QWE4562012 發(fā)表于 2020-7-30 18:50
當(dāng)檢測到VSR=V(SRP)-V(SRN)為正值時，系統(tǒng)處于充電狀態(tài)-------------這是不是搞錯了啊 V(SRP)電壓更高是充 ...

描述是正確的，充電時，電流是從P+流至B+，通過電芯，再從B-流至P-，所以V(SRP)-V(SRN)為正值時，是充電，為負(fù)值則是放電。

當(dāng)檢測到VSR=V(SRP)-V(SRN)為正值時，系統(tǒng)處于充電狀態(tài)-------------這是不是搞錯了啊 V(SRP)電壓更高是充電狀態(tài)？

圖1就是BQ芯片的電流采樣回路
圖2，如果PACK反接，PACK+接成了PACK-，那么GND就會接PACK+，這時候Q9的G極會被拉高，Q9導(dǎo)通，導(dǎo)致PACK短路，電池PACK一般是有短路保護的，這樣就會停止輸出了。
圖3，預(yù)充預(yù)放電路是為了避免主回路導(dǎo)通瞬間，由于負(fù)載的容性過大，導(dǎo)致瞬間大電流而設(shè)計。以預(yù)放回路為例，一般這種電路，初始DSG/PDSG都是低電位，無法放電。當(dāng)接入負(fù)載時，PDSG會先拉高，Q8導(dǎo)通，電流通過R1/Q8通過，R1為限流電阻，當(dāng)達到預(yù)放截止條件時，PDSG拉低，DSG拉高，Q8截止，Q3導(dǎo)通，電流從Q3經(jīng)過。預(yù)充同理
圖4，俗稱一線通，用單總線進行通信，遵守相應(yīng)協(xié)議即可，通信速度一般比較慢，傳輸少量數(shù)據(jù)可以。低成本電動自行車會用。