小電流的h橋一般上管用P下管用N比較多，如果都使用N管，一般上管需要專門的帶有升壓/電荷泵功能的mos驅(qū)動芯片來產(chǎn)生超過電源電壓的G級驅(qū)動電壓，否則容易讓管子開通不完全，進(jìn)入線性區(qū)導(dǎo)致?lián)p耗過大燒毀的；回到題目的問題，單片機(jī)一般不能這么使用，開漏模式施加超過io耐壓的電壓會損壞mcu，對于電源電壓12V沒超過mos的vgs耐壓情況，可以把上管換為p管，并在單片機(jī)io后加cd4011用來驅(qū)動，參考附件電路

單片機(jī)IO直接12V是不行的。仔細(xì)看一下datasheet就知道，IO口是有一個最大電壓的，一般不超過VCC+0.3
或者VCC+0.7，超過會有燒毀IO腳或者整個MCU的風(fēng)險

低壓驅(qū)動高壓非隔離式，N溝管。驅(qū)動電流小于1ma。

Y_G_G 發(fā)表于 2020-11-12 11:51
百度一下H橋電路,基本就能找到電路的
初學(xué)最好就是直接買成品的馬達(dá)驅(qū)動,盡可能的保證問題不出現(xiàn)在硬件
...

這個電路貌似不一定能正常工作，因為GS 電壓（1，2腳）并不一定能大于閾值電壓。mos管會工作在放大態(tài)，會發(fā)熱。負(fù)載會抬高S腳電壓。

不可以！三極管隔離可以，但因為你手里的管子是N溝，故驅(qū)動要2只三極管隔離。

ADMIN_ALLENY 發(fā)表于 2020-11-11 16:48
很感謝您的指點(diǎn)，本人小白，作為初學(xué)者沒啥經(jīng)驗。是這樣，單片機(jī)的IO口是可以驅(qū)動導(dǎo)通NMOS,我這邊是用想 ...

百度一下H橋電路,基本就能找到電路的
初學(xué)最好就是直接買成品的馬達(dá)驅(qū)動,盡可能的保證問題不出現(xiàn)在硬件
PMOS管和NMOS管差不多是等效于PNP和NPN
不同的是,MOS管都自帶(寄生)一個二極管的,看元件符號就知道了,其它的用法跟三極管是一樣的以下是一個用三極管驅(qū)動NMOS管的電路,低電導(dǎo)通,但沒有實際使用過,不知道MOS管會不會發(fā)熱,你可以試一下,一個H橋就是4個相同的電路

開關(guān)多數(shù)用P通道來開關(guān)正極.N通道的只能開關(guān)負(fù)極

可以用三極管將12V電壓與IO口隔離

原理上沒問題，注意設(shè)置IO口的工作模式

可采用光耦隔離電路實現(xiàn)。

一般單片機(jī)端口施加電壓不得大于VCC+0.5V。樓主所述NMOS管VGS±12V是極限指標(biāo)，通常低壓NMOS管VGS 起始導(dǎo)通電壓2~3V，4.5V即可深度飽和導(dǎo)通。就算耐壓幾百V的MOS管，典型應(yīng)用電路的驅(qū)動電壓也不過10V。

但凡是有點(diǎn)經(jīng)驗的,都不會給單片機(jī)的IO施加高于單片機(jī)VCC電源的電壓
從原理上來說,把單片機(jī)的IO設(shè)定為OD型輸出是可以的,但這本身也是要單片機(jī)運(yùn)行代碼之后才生效的,單片機(jī)上電復(fù)位就是默認(rèn)值,很有可能會燒壞單片機(jī)的IO
一般是用一個三極管或者M(jìn)OS來驅(qū)動的,而且,個人感覺一般的5V單片機(jī)IO足以驅(qū)動大多數(shù)的NMOS管了,不是高頻的話,不用12V來驅(qū)動的

原理上沒有什么問題，注意開關(guān)速度不要太快。如果太快由于CGD的耦合電容，可能把IO口燒壞。