wulin 發(fā)表于 2021-1-19 09:48
樓主設(shè)計(jì)的電路圖來(lái)源于經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的原電路圖，只是把續(xù)流二極管換成了NMOS。當(dāng)Q2、Q5的G極公共接點(diǎn)低電位 ...

樓主位的電路主干的結(jié)構(gòu)是完全沒(méi)問(wèn)題的，全都正確。

Q5的DS反偏也是可以導(dǎo)通的，只要G高于S一定電壓即可。內(nèi)部寄生二極管有兩大嚴(yán)重問(wèn)題，一是導(dǎo)通電壓過(guò)高影響效率，二是存儲(chǔ)效應(yīng)導(dǎo)致從導(dǎo)通到截止的恢復(fù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。寄生二極管可以在Q5導(dǎo)通前臨時(shí)當(dāng)續(xù)流二極管來(lái)用，Q5導(dǎo)通后寄生二極管兩端電壓低于飽和電壓，恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)，這樣Q5斷開時(shí)寄生二極管已經(jīng)截止，不存在存儲(chǔ)效應(yīng)造成的短時(shí)間短路。

同步整流技術(shù)就是因?yàn)楝F(xiàn)在芯片工藝越來(lái)越小，電源電壓越來(lái)越低，整流/續(xù)流二極管的壓降成為影響效率越來(lái)越刺眼的因素，用MOSFET替代二極管，利用導(dǎo)通電阻小的特長(zhǎng)來(lái)提高效率。

樓主的電路也可能有問(wèn)題，主要是兩個(gè)管子翻轉(zhuǎn)的瞬間會(huì)不會(huì)有什么問(wèn)題。但是這些我的能力已經(jīng)分析不出來(lái)了，只能讓樓主自己建立真實(shí)的電路來(lái)實(shí)際測(cè)量才會(huì)知道。

這是3408同步整流結(jié)構(gòu)：
注意零點(diǎn)檢測(cè)器，就是過(guò)零檢測(cè)電路。

用mos代替二極管，必須加電流過(guò)零檢測(cè)，及時(shí)關(guān)斷反向電流。若沒(méi)有過(guò)零檢測(cè)電路，電感反向電流會(huì)通過(guò)mos泄流，最終結(jié)果是mos發(fā)熱很快燒燬，電路損壞。這個(gè)過(guò)程中即使沒(méi)有燒燬，效率非常低，電壓大幅度波動(dòng)。效率是絕對(duì)低於二極管的，效率可能會(huì)低於50% 或10%，也有可能到1%的效率甚至0%。

黃youhui 發(fā)表于 2021-1-19 10:30
我和樓主的mos管都放錯(cuò)方向了，mos管內(nèi)部的二極管應(yīng)該是和電流導(dǎo)通方向相反的，用于防止擊穿的。置于您說(shuō) ...

MOS管內(nèi)部的二極管不是用于防止擊穿的，也不是為了防止DS接反保護(hù)用的。是其制作工藝所形成的寄生物。其反向擊穿電壓與VDS擊穿電壓等同。如果Q5改變DS方向接入電路將發(fā)生災(zāi)難性后果。

wulin 發(fā)表于 2021-1-19 09:48
樓主設(shè)計(jì)的電路圖來(lái)源于經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的原電路圖，只是把續(xù)流二極管換成了NMOS。當(dāng)Q2、Q5的G極公共接點(diǎn)低電位 ...

我和樓主的mos管都放錯(cuò)方向了，mos管內(nèi)部的二極管應(yīng)該是和電流導(dǎo)通方向相反的，用于防止擊穿的。置于您說(shuō)的回流，除非放電比充電快不然的話，GND不能回流到電感吧。

kadiya 發(fā)表于 2021-1-19 08:17
改成這樣

NPN和PNP導(dǎo)通的條件是Ube的電壓滿足一定的值，你這樣讓Q9的Ube怎么低于0.7，（Ube不是Ueb），你還是加個(gè)上拉電阻吧，然后計(jì)算分壓，讓Q9能夠的Ube能夠在MCU_IO輸出低電平時(shí)分壓低于0.7

kadiya 發(fā)表于 2021-1-18 14:43
已經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的原電路圖。這個(gè)電路圖是可以成功運(yùn)行的，只不過(guò)二極管換成了NMOS.

樓主設(shè)計(jì)的電路圖來(lái)源于經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的原電路圖，只是把續(xù)流二極管換成了NMOS。當(dāng)Q2、Q5的G極公共接點(diǎn)低電位時(shí)Q2導(dǎo)通，Q5截止，通過(guò)L蓄能并向負(fù)載供電，L左正右負(fù)。當(dāng)G極高電位時(shí)Q2截止，L左負(fù)右正。Q5的DS反向偏置，G極電位高低對(duì)Q5沒(méi)有意義，其內(nèi)部寄生二極管正向?qū)�通可以完成續(xù)流。那么二極管換成了NMOS管的意義何在？？？

黃youhui 發(fā)表于 2021-1-18 15:48
你的電路圖應(yīng)該是這樣的吧。
MCU高電平時(shí)，拉低電壓N_MOS管Q9導(dǎo)通，NPN管Q6關(guān)閉，將+12電壓接到Q8和Q7 ...

或者將Q9換成三極管。

謝謝，您這個(gè)電路圖設(shè)計(jì)的很專業(yè)，Q8的2k電阻能否去掉，這樣開關(guān)是不是會(huì)更快一點(diǎn)。

kadiya 發(fā)表于 2021-1-18 14:43
已經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的原電路圖。這個(gè)電路圖是可以成功運(yùn)行的，只不過(guò)二極管換成了NMOS.

你的電路圖應(yīng)該是這樣的吧。
MCU高電平時(shí)，拉低電壓N_MOS管Q9導(dǎo)通，NPN管Q6關(guān)閉，將+12電壓接到Q8和Q7的柵極上，然后Q7導(dǎo)通，Q8關(guān)閉。
MCU低電平時(shí)，拉高電壓N_MOS管Q9關(guān)閉，NPN管Q6導(dǎo)通，將GND電壓接到Q8和Q7的柵極上，然后Q7關(guān)閉，Q8導(dǎo)通。

黃youhui 發(fā)表于 2021-1-18 09:10
當(dāng)單片機(jī)高電平時(shí)Q4導(dǎo)通，Q3的基極相當(dāng)于被下拉到地，Q3處于斷開狀態(tài)，
當(dāng)單片機(jī)低電平時(shí)Q4斷開，Q3的基極 ...

當(dāng)單片機(jī)低電平時(shí)Q4斷開，Q3的基極相當(dāng)于被上拉到+12V，Q3處于瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)，因?yàn)闁艠O相當(dāng)于電容的正極，有個(gè)充電的過(guò)程。q4導(dǎo)通的時(shí)候，他們的G極接入低電平。
原圖有驗(yàn)證的，我只是把二極管改成了nmos.

搞不懂這個(gè)電路干嗎用的！

當(dāng)單片機(jī)高電平時(shí)Q4導(dǎo)通，Q3的基極相當(dāng)于被下拉到地，Q3處于斷開狀態(tài)，
當(dāng)單片機(jī)低電平時(shí)Q4斷開，Q3的基極相當(dāng)于被上拉到+12V，Q3處于斷開狀態(tài)，（Q4斷開c極沒(méi)有接地相當(dāng)于懸空，12V通過(guò)2K電阻直接接到基極，Ube = ？）
另外Q2 Q5一個(gè)高電平導(dǎo)通一個(gè)低電平導(dǎo)通，低電平一般是GND，你怎么確保他們的G基能夠接入GND電平

這個(gè)電路其實(shí)就是用nmos代替二極管，怎么不能用。

這是不能用的，同步整流需要過(guò)零電流檢測(cè)，及時(shí)關(guān)斷，一般關(guān)斷時(shí)間是在 ns級(jí)。