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發(fā)布時(shí)間: 2021-1-25 09:20
正文摘要:有個(gè)快速關(guān)斷MOS管的電路是這樣的，哪個(gè)知道具體的工作原理的？是如何快速關(guān)斷的？ |
學(xué)習(xí)單片機(jī)lq 發(fā)表于 2021-1-31 15:26 Q3和R22是如何快速關(guān)斷的呢 |
學(xué)習(xí)單片機(jī)lq 發(fā)表于 2021-1-31 15:26 D1是怎么防止倒灌的？我感覺你是做BMS的 |
QWE4562012 發(fā)表于 2021-1-31 09:46 這次的圖應(yīng)該是正確的了，這就是通常說11串鋰電池保護(hù)板電路圖，沒有單片機(jī)。CO是充電保護(hù)端，DO是放電保護(hù)端，平時(shí)都是高電壓（比通常說的5V高電平還高得多），保護(hù)時(shí)為零。Q3和R22就是起快速關(guān)斷作用的。而那個(gè)D1是在產(chǎn)生充電保護(hù)后起防止電流倒灌作用的。 |
xhaity 發(fā)表于 2021-1-27 08:48 恩 我感覺你有水平！ 煩請告知下Q1和D1有何用意 |
rundstedt 發(fā)表于 2021-1-26 16:38 不是的 是FAE提供的 源文檔是AD 用PADS導(dǎo)進(jìn)來的 |
QWE4562012 發(fā)表于 2021-1-26 14:16 懷疑這個(gè)電路有問題，穩(wěn)壓管Z2用到了15V，說明這里需要接近15V的驅(qū)動(dòng)信號，可能兩只功率管是IGBT，而單片機(jī)輸出太低，三極管是用來對信號進(jìn)行電壓放大的。 |
| 表示當(dāng)信號CO為高時(shí)，晶體管Q1始終導(dǎo)通，當(dāng)CO接地時(shí)，Q1截止，Q2，Q5也截止，然后電阻R19和R20通過R22快速釋放Q2和Q5的柵極電荷 。 |
| R6 5.1M就沒多大用了，5.1K差不多，Q1三極管當(dāng)作二極管用， 比二極管壓降低，電路不全，腦補(bǔ)其它部分，就是電池的充放電管理的開關(guān)電路， 不牽扯nmos快速關(guān)斷電路。 |
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 admin
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| Q1D1全都畫錯(cuò)了，這圖明顯是抄板抄出來的，還抄錯(cuò)了。 |
| 這個(gè)電路從R2來的信號只能使Q2導(dǎo)通，截止的信號可能是從R19來的，電路不全。 |
xhaity 發(fā)表于 2021-1-26 08:50 是怎么實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷的？ |
f556 發(fā)表于 2021-1-26 00:50 R2左邊是IO驅(qū)動(dòng)信號 |
| 我怎么覺得R22就像NPN二極管， 基極和發(fā)射極直接接電阻一樣的功能，防止誤觸發(fā)。 |
| 當(dāng)為Q1的發(fā)射極提供電源電壓時(shí)，PNP Q1始終導(dǎo)通。 NMOS Q2的柵極電壓比源極高15V，因此Q2導(dǎo)通。 當(dāng)Q1的發(fā)射極被拉低時(shí)，Q1截止，Q2的柵極被拉至低電平，因此Q2截止。 R22用于快速釋放柵極-源極電荷。 |
怎么看就像是個(gè)上電開關(guān)電路，可能是防反接的上電開關(guān)電路，上一個(gè)快速關(guān)斷電路供參：
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| 電路圖不全，應(yīng)該是R19快速拉低Vgs關(guān)斷 |
鐘志偉 發(fā)表于 2021-1-25 11:07 他這個(gè)是串聯(lián) 所以我也沒看懂。。。。。。 |
wufa1986 發(fā)表于 2021-1-25 10:48 和R22有啥關(guān)系 分析下？這個(gè)不是基極的電阻啊 |
名字不是重點(diǎn) 發(fā)表于 2021-1-25 10:54 如何實(shí)現(xiàn) 具體說說 |
| MOS在G極的驅(qū)動(dòng)電阻上并個(gè)快恢復(fù)二極管就可以快速關(guān)斷了，IGBT就要用負(fù)壓關(guān)斷 |
Nmos管要快速關(guān)斷，就要把G極接低，越低越快，能負(fù)壓最好 |
| 從電路看這個(gè)并不能快速關(guān)斷VGS，R22太大了 |
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