C8給單相可控硅提供一個穩定的觸發電壓（電容儲能端電壓供給可控硅G極），電容的充電時間長短可以控制可控硅導通角度（假設有可調電阻串聯在電容充電回路中，那么調整可調電阻則響應改變電容充電時間，電容端電壓達到可控硅閾值，則可控硅導通），R3是給C8放電用的。R4，R6，R9是串聯分壓同時限制電流用的，限電流大小參考穩壓管ZD1的最大穩壓電流來確定，以保障穩壓管能夠承受不被擊穿。其中R4與R6可以看做一個電阻與R9串聯，串聯阻值比例則根據穩壓管穩壓值來確定分壓值。穩壓穩壓管是保障三極管不被擊穿，8050三極管的Vbe額定值是6V。

主要是限流作用，之所以用到三個可能與封裝有關防止爬電，至于擊穿這事如果電路設計合理導線連接無誤那是沒問題的

你這個應該算是 過零檢測電路  我建議你用我這個電路
http://www.zg4o1577.cn/bbs/dpj-202273-1.html