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感謝大神指導,現改正電路圖請大神們過目感激不盡!

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發布時間: 2021-6-20 12:25

正文摘要:

小白一枚,經過大神們的指點,現在改了下用單片機IO控制場效應管驅動電磁閥的電路,用的是P溝道的2SC136,大神們有的說我的光耦輸入電路那個330電阻和104電容是沒啥用個,我是看別人的輸入電路自己改的,不知道是否合 ...

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ID:298123 發表于 2021-6-22 14:43
原理不搞清楚,瞎畫有用嗎?
ID:942034 發表于 2021-6-22 00:53
穩壓二極管穩壓值15V,VCC為24V。常態下mos的G極也為15V,單是源極為24V,作為P溝道,壓差已經達到了9V,這只管子關不掉,永遠出于導通狀態。
ID:298123 發表于 2021-6-21 14:43
本帖最后由 hz_dyg 于 2021-6-22 14:29 編輯

。。。。

無標題.png (81.71 KB, 下載次數: 32)

無標題.png
ID:582276 發表于 2021-6-20 23:12
P_MOS 管不是這樣子工作,(對于G極,你可以聯象一下PNP管的基極),在Vsg>夾斷電壓時會導通,又加個15V的穩壓極管鉗位,那肯定是一起直導通的。如果一定想用PMOS管,在SG之間并個電阻,保證g為高電平,G還要通過一個電阻經光耦到地,光耦導通時將G的電平拉低。但這樣耗電比較大。最好象前面的大神們說的用NMOS管。
ID:929847 發表于 2021-6-20 19:22
五福臨門 發表于 2021-6-20 16:02
想不到樓主自詡小白也這樣厲害,小的戰五渣已經無地自容了!

我真是小白,就是懂點皮毛 菜的一批還好友論壇大神們幫忙 感激不盡
ID:491875 發表于 2021-6-20 17:09
這個改進電路可能不行!MOS管的導通由GS電壓決定,穩壓管的加入使得GS之間存在約9V的GS電壓,可能導致MOS管不受控而直接導通
ID:491875 發表于 2021-6-20 17:04
R9確實沒有必要存在!光耦的初級只要控制初級電流和反向電壓就可以了,5V供電而且沒有反向電壓,所以,R9完全沒有必要存在。
ID:423832 發表于 2021-6-20 16:02
想不到樓主自詡小白也這樣厲害,小的戰五渣已經無地自容了!
ID:47286 發表于 2021-6-20 15:08
這電路太累贅了 而且 我也想問 你為啥那么喜歡光耦


ID:342822 發表于 2021-6-20 14:29

555333.gif (144.23 KB, 下載次數: 31)

555333.gif
ID:401564 發表于 2021-6-20 14:24
R9和104完全不需要,在PC817的數據手冊中也有電路可以參考,這R9就是多余的
所謂隔離,因為我看到你電路的地,如果單片機供電和24V共用一個地,就沒有隔離的必要
如果單片機是一個電源,24V是另外一個電源,而且是沒有線相通的,那光耦才有隔離的作用
電磁閥是個機械的東西,開啟和關斷的速度相對于MOS管來說,時間是非常長的,沒有速度要求,所以,R1的大小可以是從1K到100K的電阻,隨便用,有哪個就用哪個,這東西在實踐中就可以試一下
至于怎么穩定VGS,你可以參考一下PNP三極管,原理是差不多的
ID:818024 發表于 2021-6-20 14:08
為什么要加R5和R9限流?左邊直接一個共射三極管驅動光耦,右邊直接接場效應管
ID:929847 發表于 2021-6-20 13:58
taotie 發表于 2021-6-20 13:28
你用Proteus 仿真驗證一下這個電路不行 再修改

不會那軟件
ID:929847 發表于 2021-6-20 13:58
回答大神1:R9是超別人的電路來的,2:想用光耦實現輸出隔離3:R1到底多大很是我是小白4:手里有幾個2SC136,沒合適的N溝道,5:680串聯330 5V分壓到電容兩端1.5V左右是光耦的工作電壓,這個輸入加電阻電容的光耦電路,我在別處找的,人家說抗干擾比單純串電阻好,可能我是小白被忽悠啦6:具體我分析啦下穩壓的電路是畫錯啦,一會改正。7:那個104電容看別人說抗干擾
ID:929847 發表于 2021-6-20 13:57
Y_G_G 發表于 2021-6-20 13:23
我也是神奇了?
1:R9的作用是什么?
2:為何對光耦如此的執著?

回答大神1:R9是超別人的電路來的,2:想用光耦實現輸出隔離3:R1到底多大很是我是小白4:手里有幾個2SC136,沒合適的N溝道,5:680串聯330 5V分壓到電容兩端1.5V左右是光耦的工作電壓,這個輸入加電阻電容的光耦電路,我在別處找的,人家說抗干擾比單純串電阻好,可能我是小白被忽悠啦6:具體我分析啦下穩壓的電路是畫錯啦,一會改正。7:那個104電容看別人說抗干擾
ID:342822 發表于 2021-6-20 13:28
你用Proteus 仿真驗證一下這個電路不行 再修改
ID:401564 發表于 2021-6-20 13:23
我也是神奇了?
1:R9的作用是什么?
2:為何對光耦如此的執著?
3:R1的大小改變對MOS管有什么意義呢?
4:為什么一定要用P溝道的?N溝道它不行嗎?
5:P3.2為什么一定要用上拉電阻呢?只用一個限流電阻它不行嗎?
6:這是P溝道的MOS管,你那15V的穩壓對于MOS管的G極電壓是沒有穩壓作用的,你這個是把G極電壓固定在24V-15V=9V,這G極電壓的計算方法和N溝道的計算方法是不一樣的
7:這104電容又有什么意義呢?
ID:342822 發表于 2021-6-20 13:23
當然是靠近mos管柵極處
ID:929847 發表于 2021-6-20 13:15
taotie 發表于 2021-6-20 13:09
R1處加10k泄放電阻對地,使光耦關斷時mos管電容電荷快速釋放

是在柵極處加10K電阻嗎,還是在光耦的三極管發射極接10K電阻啊,
ID:342822 發表于 2021-6-20 13:09
R1處加10k泄放電阻對地,使光耦關斷時mos管電容電荷快速釋放
ID:929847 發表于 2021-6-20 12:26
懇請大神們指導

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