關(guān)于MOS管和三極管驅(qū)動(dòng)電路

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發(fā)布時(shí)間: 2021-9-10 14:49

1.用三極管Q4的漏電流為（3.3-0.7）/1K=3.6mA 2.用NMOS Q5的電流幾乎為0，所以用NMOS省電相較于用三極管不是一個(gè)數(shù)量級 3.要注意NMOS的Vth，這里選擇低壓導(dǎo)通的NMOS，在1V上下的管子找到了除了以上幾點(diǎn)， ...

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ID:955673 發(fā)表于 2021-9-13 18:42

3.3v機(jī)不用考慮升壓吧，又不需要推到飽和，
電阻用到百 K 以上比較好

ID:668004 發(fā)表于 2021-9-13 17:40

本帖最后由 QWE4562012 于 2021-9-13 17:42 編輯

TTQ001 發(fā)表于 2021-9-11 09:01
與使用雙極晶體管驅(qū)動(dòng) MOSFET 相比，使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 有利有弊。使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 的最大缺點(diǎn)之一 ...

那還要升壓嗎，G柵極的電壓等于源極的電壓不可以嗎？這里源極的電壓不是=0嗎？而G的電壓是3.3V 應(yīng)該沒問題吧

ID:668004 發(fā)表于 2021-9-13 17:39

TTQ001 發(fā)表于 2021-9-11 09:01
與使用雙極晶體管驅(qū)動(dòng) MOSFET 相比，使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 有利有弊。使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 的最大缺點(diǎn)之一 ...

那還得升壓啊那豈不是沒用

ID:420836 發(fā)表于 2021-9-11 09:01

與使用雙極晶體管驅(qū)動(dòng) MOSFET 相比，使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 有利有弊。使用 NMOS 驅(qū)動(dòng) PMOS 的最大缺點(diǎn)之一是 NMOS 需要比源極電壓更高的柵極電壓才能開啟。

ID:668004 發(fā)表于 2021-9-10 19:07

mcza30 發(fā)表于 2021-9-10 16:57
s8050的2、3腳是不是應(yīng)該換一下？

對對不好意思畫錯(cuò)了。。。

ID:83553 發(fā)表于 2021-9-10 16:57

s8050的2、3腳是不是應(yīng)該換一下？

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