同意12樓，R5偏大，試試10k歐再測輸出電壓。

電路斷開，MOS處于高阻狀態，至于怎么會有0.2V電壓輸現，我認為是懸空電壓。

R5的電阻給小一些大約在100K左右合適，2M的電阻太大，有壓降，導致Q1沒有完全關斷，所以有0.2V電壓

別去聽他們的，你這個個產品明顯是低功耗上面用的，他們說的情況在你這就不存在，你的電路是沒問題的，但我不明白你糾結這0.2V的電壓是什么原因，原因就是上面說的，由漏電流引起的，一般MOS管的漏電流進口的在幾十個na級別，國產的在百十個na級別，即使是低功耗環境，這種漏電流也是可以接受的吧，況且系統哪怕是處于休眠當中，也不止這點功耗了。

wufa1986 發表于 2021-9-27 10:40
設計不合理，半導體都有漏電流，而且隨著溫度升高增大

我這里不用考慮溫度

mayouzhen2008 發表于 2021-9-26 09:13
Q5的D 和Q1的G之間加一個K級或者再小一點的電阻會更好，要不實際使用中會有問題

為什么要加   說下你的考慮

munuc_w 發表于 2021-9-26 08:40
電路沒有問題，MOS做開關用，在截止時不是完全的斷開，是有一個電阻存在的，只是這個電阻很大，注意，是很 ...

1.有很多人讓我把R5改成100K（那樣Q5就更耗電了，那改小干嘛）

2.也有人說在Q5的D和Q1的G極之間要加一個電阻

3.也有人說在Q5的極對GND之間要加一個下拉電阻

以上三點，你覺得有必要不

設計不合理，半導體都有漏電流，而且隨著溫度升高增大

D和S之間漏電很小的MOS  大家有沒有推薦

mayouzhen2008 發表于 2021-9-26 09:13
Q5的D 和Q1的G之間加一個K級或者再小一點的電阻會更好，要不實際使用中會有問題

這個電阻貌似不是必須要加，能說說你的思路嗎？為什么一定要加

munuc_w 發表于 2021-9-26 08:40
電路沒有問題，MOS做開關用，在截止時不是完全的斷開，是有一個電阻存在的，只是這個電阻很大，注意，是很 ...

那如何避免呢

Q5的D 和Q1的G之間加一個K級或者再小一點的電阻會更好，要不實際使用中會有問題

電路沒有問題，MOS做開關用，在截止時不是完全的斷開，是有一個電阻存在的，只是這個電阻很大，注意，是很大，不是完全斷開。當負載的等效阻抗很大時，就會有問題出現：分壓！！！