漏極輸出下降沿沿2.多ms，上升沿80多ms
是因為你的漏極負載是R9，電阻值大，電壓上升自然慢。

改用推挽輸出驅動。這種光耦關斷很慢的，參考TPL715這種。

80多ms的話那就和驅動電路沒關系了，要看看負載的阻抗特性

否則的話使用推挽電路

把光耦與電阻位置對調試看

14樓已經說明原理了，樓主這種驅動只適合做開關時間大于1秒的情況。最簡單是5VIO腳直接驅動MOS管可以滿足樓主的要求，IO腳到地要接一個5.1V穩壓管保護就可以了。

MOS理論上是電壓控制器件，但需要高速的時候，則需要很大的驅動電流，因為柵極電容的存在，導通就是需要給電容充電。所以光耦電流太小了，所以速度起不來，最簡單的是按照10樓的，用圖騰柱驅動。

817光藕驅動電流有限,要加驅動電路才能讓MOS管加速導通,要么換MOS,要么加個三極管

漏極220v可以用示波器量么？

這種接法,輸出上升是關斷,下降才打開
R10換成1K的,或者反接一個二極管試一下
下降不夠快的話,加大驅動電壓和電流

0孫悟空0 發表于 2021-10-25 16:19
1ms級別就行了，但是實際幾十ms

此圖控制MOS管開關上下沿可以小于1us。

wulin 發表于 2021-10-25 15:56
樓主的電路結構和元件選擇都不符合高速要求。如果對MOS管開關速度有較高要求建議使用TLP250專用光耦。

您在看看上面的回復，柵極輸入上下沿都是0.2ms符合要求的，但是漏極輸出那上升沿80多ms

wulin 發表于 2021-10-25 15:56
樓主的電路結構和元件選擇都不符合高速要求。如果對MOS管開關速度有較高要求建議使用TLP250專用光耦。

1ms級別就行了，但是實際幾十ms

0孫悟空0 發表于 2021-10-25 15:13
看了數據手冊了，上面寫的開關時間都是幾百ns

查了下你管子的datasheet，里面有Qgs、Qg的參數，你仔細想想用你現在這點電流把電荷搬來搬去需要多少時間吧。

樓主的電路結構和元件選擇都不符合高速要求。如果對MOS管開關速度有較高要求建議使用TLP250專用光耦。

MOS的柵極對地是不導通的，它相當于是電容。
當打通MOS時柵極電壓為高，是由光藕提供的，很快電壓就上去了（充電電阻很小）。
當關閉MOS時，柵極電容的放電只能通過R10，這個電阻是10K，放電當然就慢了。放電慢，柵極電壓下降就慢，速度就上不去了。
改善的方法是，關斷是，讓放電回路電阻變小！！
明白道理后，改進不困難。

Hephaestus 發表于 2021-10-25 15:01
查datasheet里面Cgs有多大你就知道為什么那么慢了。

看了數據手冊了，上面寫的開關時間都是幾百ns

查datasheet里面Cgs有多大你就知道為什么那么慢了。