電容的下端接近地電平，VCC通過這個二極管給電容充電。電容下端為VCC的時候，電容給VB引腳提供超過VCC的電壓。

1、低邊MOS的驅動電壓，是以GND為參考點的，例如：打通MOS的VGS需要5V，則lLO只要5V，低端MOS就通了。
2、高邊MOS的驅動電壓，是以TOLOAD為參考點的（源極），當HO=5V，高端MOS就不一定通了。如果這時TOLOAD=2V，則HO就必須達到7V。實際使用中，要看負載的情況而定。
3、如果LO取自VCC，則HO就必須超過VCC，所以就需要一個比VCC更高的電源。VB就是這個電源，C是這個電源的濾波器，由于VB>VCC，所以它倆不能連在一起。
4、又VB是需要內部振蕩工作后才能抬升的，它的基電位（不振蕩時）希望有一個較高的值，就選擇了VCC，這個二極管就起作用了，它會將電容的基礎電壓抬到（充電）VCC，振蕩器再提升一點，兩者合成VB就有了。

當然不能去掉，那個二極管是給自舉電容充電的，當下管導通時，電容充電，當打開上管時，用的是電容放電回路，就是電容作為一個“電源”來驅動上管，電容作為一個電源的就相當于上管的S是電容的地了，這樣就能解決浮地的問題。

頂一下