wulin 發(fā)表于 2022-4-11 10:38
很簡(jiǎn)單的事你搞了這么長(zhǎng)時(shí)間還沒(méi)搞定。前面貼子里給了你3篇同類裝置的電路圖，你沒(méi)能正確理解。把你這圖變 ...

你好   輸出電壓的帶載能力呢？要怎么考慮

yzwzfyz 發(fā)表于 2022-4-8 17:39
1、SOT-23封裝的MOS國(guó)產(chǎn)的有推薦不？
答：無(wú)，自己找吧。
2.理論上，這個(gè)升壓電路的拓?fù)涫菦](méi)問(wèn)題的。MOS ...

謝謝班長(zhǎng)

4.輸入電壓 輸出電壓和占空比計(jì)算公式如下
Uo/Ui=1/(1-D).
從公式看出，
占空比越大，升壓越高。
占空比不能為1，否則無(wú)意義。

很簡(jiǎn)單的事你搞了這么長(zhǎng)時(shí)間還沒(méi)搞定。前面貼子里給了你3篇同類裝置的電路圖，你沒(méi)能正確理解。把你這圖變化一點(diǎn)，你想升到多少電壓自便。

1、SOT-23封裝的MOS國(guó)產(chǎn)的有推薦不？
答：無(wú)，自己找吧。
2.理論上，這個(gè)升壓電路的拓?fù)涫菦](méi)問(wèn)題的。MOS的內(nèi)阻和電感的內(nèi)阻、飽和電流會(huì)影響到升壓的效率，這個(gè)哪個(gè)有經(jīng)驗(yàn)的？可以講講
答：下面說(shuō)。
3.除了電感飽和電流、內(nèi)阻、MOS的內(nèi)阻，這些因素外，還有哪些直接影響到升壓的效率或者是升壓的電壓值、帶載能力、輸出穩(wěn)定性？
答：下面說(shuō)。
4.PWM控制的頻率要如何把握，還有占空比那些，占空比越大，應(yīng)該升壓越高吧？
答：保證最壞情況下（輸入3V，輸入50V50mA)，L的充磁的能量，達(dá)到50V*50mA=2.5W。
占空比與L的特性有關(guān)聯(lián)。不是越大越高，有個(gè)最佳點(diǎn)。舉個(gè)極端的例子：100%導(dǎo)通，則輸出電壓=0，而L中電流卻是無(wú)究大。
5.升壓輸出二極管除了正向壓降小、反向耐壓高于輸出電壓1.5倍以上，還沒(méi)有其他的要求
答：頻率響應(yīng)要快。
說(shuō)說(shuō)：
極限功率是2.5W，折算到電池上的電流是：2.5W/3V = 830mA (這里忽略了，MOS管壓降，L、電池、線路的電阻)。
830mA是連續(xù)電流。但充磁是有占空比的，即充磁的電流必須遠(yuǎn)大于830mA，因?yàn)檫�有時(shí)間不充磁。
以70%來(lái)算，充磁電流約需1.2A（留30%的時(shí)間給L釋放能量，實(shí)際給電容充電也是需要時(shí)間的，這個(gè)比例與電路中使用的材料特性有關(guān)，通常用實(shí)驗(yàn)方式得到最佳點(diǎn)）。
現(xiàn)在需求來(lái)了：
1、MOS管短路時(shí)，電路中要保證能有1.2A的電流流過(guò)。這就對(duì)回路中的總電阻提出了限制（自己算）。
2、在流過(guò)1.2A的單向電流時(shí)，L不得進(jìn)入磁飽和。這就對(duì)L的磁通量提出了要求。
3、在充磁的時(shí)間內(nèi)（70%的占空比，與PWM的頻率，可得時(shí)間），L也不得進(jìn)入磁飽和。這就對(duì)L的電感量，和PWM的頻率極限提出了要求。
4、PWM頻率不得低于音頻范圍，以免被人聽(tīng)到嘯叫。當(dāng)然，或許還有其它特殊要求（如無(wú)線波段的干擾）。
5、MOS管的電流當(dāng)遠(yuǎn)大于1.2A，頻率應(yīng)滿足充磁時(shí)間的要求。
6、MOS管是有輸入電容的，為保證MOS迅速導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電流必須足夠大，必須在極短的時(shí)間內(nèi)打通MOS管（如給出1%的PWM時(shí)間，完成對(duì)柵極電容的充電）。
7、同6，還有柵極電容的放電時(shí)間（對(duì)應(yīng)使MOS管迅速截止）。
8、整流管，前面你我都說(shuō)了。
9、濾波儲(chǔ)能電容，需要高頻電容（容量計(jì)算很簡(jiǎn)單就不再此交代了），介損要小，可以采用多并幾個(gè)的方式，不要用普通的電解電容。
基本夠了……
寫了一把小時(shí)，希望能幫到你。

還在糾結(jié)~~~