xianfajushi 發表于 2022-5-20 20:06
思考了有一段時間了，估計問題出在用場效應管控制開關機上，這里存在電壓波動問題，假若控制用微型繼電器觸 ...

沒錯，就是電壓波動造成的， 前幾天用示波器看了波形。 這個沒法用觸點繼電器來解決，因為，這個觸發的頻率太高了， 之前用800ms周期。 后面，把觸發頻率提高到500ms，然后提高關斷采樣的閾值，問題基本上解決了。因為這個會受很多元器件的精度影響，所以，后續只能靠軟件算法來彌補。

在這個單片機論壇硬件常有很弱的提問不足為奇，問硬件到硬件論壇比較專些。

思考了有一段時間了，估計問題出在用場效應管控制開關機上，這里存在電壓波動問題，假若控制用微型繼電器觸點的話則不存在電壓問題，估計會比較徹底關閉，這是從理論上推導，實際沒這樣電路無法驗證，驗證有待題主了，若驗證成功的話，回復我一下以驗證推導是否正確。

君工創 發表于 2022-5-19 10:30
電路上電后，通過R12,R15,D10,D11,電壓加到Q3G極，Q3導通，電流從C17,CN4,2T,Q3.形成回路。同時，由互感線 ...

感謝解答。  但還是不太明白，D7兩端的電位差有什么用？

電路上電后，通過R12,R15,D10,D11,電壓加到Q3G極，Q3導通，電流從C17,CN4,2T,Q3.形成回路。同時，由互感線圈給Q3G極形成反向電壓，令Q3截止，給Q1G極形成正向電壓，Q1迅速飽和導通。電流經Q1,CN4,C17,形成C17的放電回路。同時，電感線圈的反饋電壓再次反轉。Q3,Q1,互相導通與截止，形成震蕩。

能做硬件的人好少啊

頂一下

xianfajushi 發表于 2022-5-17 19:14
控制低電平看是什么樣電路，是否能完成控制？一半的話，可能就是電路存在問題。

控制電路應該不會有問題吧，剛剛把控制電路也貼上去了。

robinsonlin 發表于 2022-5-17 16:56
感謝解答。 那么？D10、C18和C20的哪些性能指標，會導致這個自激勵周期會加長。
這個電路中，D14負極有 ...

控制低電平看是什么樣電路，是否能完成控制？一半的話，可能就是電路存在問題。

一事無成 發表于 2022-5-17 18:32
看起來像是一個觸發電路+不對稱半橋，觸發電路和可控硅的很像,R12R15C20構成RC觸發，因為MOS是壓控器件所以 ...

真是餿主意，頻率太高，電路不好實現。   不過思路可取，我也一直懷疑是不是C18和C20的差異性，導致了自激勵周期的長短不同。 剛買了大品牌的電容，準備把C18和C20換掉，明天換上才知道行不行。

看起來像是一個觸發電路+不對稱半橋，觸發電路和可控硅的很像,R12R15C20構成RC觸發，因為MOS是壓控器件所以加了D7給C20泄放？但可以看出來這電路不需要外觸發，出個餿主意，要達到控制口變低后，自激勵迅速結束，控制斷開RC電路或者讓C直接短路，只要觸發到不了MSO就行了

Hephaestus 發表于 2022-5-17 16:44
負載是CN4吧？

是的。  感應加熱線圈CN4

xianfajushi 發表于 2022-5-17 16:45
假設C20充電擊穿D10使得Q3導通則C18得以充電達到飽和后反轉Q1導通C18放電結束反轉上述過程。

感謝解答。 那么？D10、C18和C20的哪些性能指標，會導致這個自激勵周期會加長。
這個電路中，D14負極有個控制口IO_CTRL，控制口高電平一下，電路就會自激勵一次。現在我遇到的問題是，有一半的板子，控制口變低后，自激勵過程還保持了很久。 我原本希望的是，控制口變低后，自激勵會迅速結束。

假設C20充電擊穿D10使得Q3導通則C18得以充電達到飽和后反轉Q1導通C18放電結束反轉上述過程。

負載是CN4吧？

DB3是雙向觸發二極管，C20是啟動觸發延時的積分電路的電容，D7的作用是：在Q3飽和導通期間，C20通過D7快速放電。C20對啟動時間和間歇時間有影響。