飛奔的哇哈哈 發(fā)表于 2022-8-17 13:10
哦哦，感謝您的建議，以前用過L298N那個模塊，塊頭太大了。這次又想驅(qū)動電機(jī)玩玩，在查驅(qū)動電機(jī)方面的資 ...

L298都是哪一年的了，現(xiàn)在的芯片，SOP8,3A,30V。包含了一個完整的H橋，還附帶過流短路保護(hù)，自己別瞎折騰 了。

cnos 發(fā)表于 2022-8-16 14:41
AT8236，A4950這些芯片不香嗎，不用自己搭H橋啦

哦哦，感謝您的建議，以前用過L298N那個模塊，塊頭太大了。這次又想驅(qū)動電機(jī)玩玩，在查驅(qū)動電機(jī)方面的資料時就往怎么搭H橋這里查了。確實忘記往集成電路這里想，用集成好的芯片，尺寸也會小很多。

yzwzfyz 發(fā)表于 2022-8-17 10:07
Q1那個MOS管我能理解。當(dāng)G1給高電平時MOS管導(dǎo)通，相當(dāng)于這個MOS管接的電機(jī)的引腳直接接地了
答：準(zhǔn)確地說 ...

感謝您的指點，還有一個問題。那么是不是 Q2 的 GS 的壓差只要比 GS(th)的 -1 ~ -3 高就可以導(dǎo)通？ 比如GS是 -5V 或者 -10V  Q2都是處于導(dǎo)通狀態(tài)的嗎？ 因為我看手冊的  GS(th)是 -1 ~ -3 的范圍，有點迷茫了。

這個是很常用的H橋電路，從MUC輸出信號正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)不能同時高電平，同時高電平其中MOS管一定會燒一個。A1端在R12后面加一下47K電阻到地，這個電路就沒有問題了。

沒你想的那么復(fù)雜。

基本的邏輯是：A1高電平時，A2必須同時低電平，通過Q5反相，輸出給G2引腳也是高電平。

必須保證Q1與Q2只能同時打開一個，不可以2個同時導(dǎo)通，否則相當(dāng)于直接短路。

AT8236，A4950這些芯片不香嗎，不用自己搭H橋啦

你理解沒問題。 5V不會燒 -3V只是可靠開通的最大電壓。 不是極限參數(shù) 擊穿電壓在開頭寫著。應(yīng)該是-25V.

Q1那個MOS管我能理解。當(dāng)G1給高電平時MOS管導(dǎo)通，相當(dāng)于這個MOS管接的電機(jī)的引腳直接接地了
答：準(zhǔn)確地說，是MOS管的柵極對源極電壓。高電平通，不是很精確的說法。
Q2這個MOS管這里就不太理解了，它的GS(th)是-1~-3。也就是說柵極電壓要比源極低1到3v才能導(dǎo)通？
答：同上！！準(zhǔn)確地說，是MOS管的柵極對源極電壓為負(fù)，即源極電壓低于柵極電壓。
那我這個電路電路圖中，當(dāng)A2給低電平時，三極管Q5截止。GS(th)=0V?
答：此時R13中無有電流，即R13上無壓降，你的分析是對的。
當(dāng)A2給高點平時，三極管Q5導(dǎo)通，GS(th)=-5V?  但是因為GS(th)的最大電壓是-3V，所以會燒芯片嗎。
答：燒毀一個東東，需要足夠的能量，這里不具備。更何況還有R14限流，-50V也燒不了。你可以試試。