老愚童63 發表于 2023-2-22 12:15
PWM，R1越小越好！但必須考慮前級的承載能力！

好的謝謝

happy2058 發表于 2023-2-22 11:17
問一下， VGS 不吃電流是吧，這個 R1 值為什么無關緊要？如果是 PWM 那R1如何先擇

PWM，R1越小越好！但必須考慮前級的承載能力！

happy2058 發表于 2023-2-22 11:17
問一下， VGS 不吃電流是吧，這個 R1 值為什么無關緊要？如果是 PWM 那R1如何先擇

MOS管是電壓控制，GS本身不消耗電流，只有GS結電容吸收很少一部分電流，你是靜態驅動，結電容可以忽略。如果動態驅動，結電容就必須考慮。

老愚童63 發表于 2023-2-22 08:07
估計驅動電壓低了，將R2增大到100K左右吧。因為是靜態驅動，R1的值無關緊要，只要與R2的分壓不至于引起MOS ...

問一下， VGS 不吃電流是吧，這個 R1 值為什么無關緊要？如果是 PWM 那R1如何先擇

dj3365191 發表于 2023-2-22 10:57
把R1改成1K，R2改成100K試試，應該可以或把R1改成100歐

手上沒有100K R1改成1K了，電壓上來4.5V 不熱了

watsonbu 發表于 2023-2-22 09:12
認同2樓的“如采用無此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉電阻。“
1.為什么24V供電給12V的發熱片呢？2.如果MO ...

電阻值不同，發熱快慢問題，這樣比較通用

把R1改成1K，R2改成100K試試，應該可以或把R1改成100歐

測量VDS電壓，是否超過0.05V，超過則柵壓過低。

認同2樓的“如采用無此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉電阻。“
1.為什么24V供電給12V的發熱片呢？2.如果MOS管導通的情況下，發熱片的兩端豈不是24V,???

cjjdemon 發表于 2023-2-22 08:06
P1.0增加一個三極管，來控制Q1的開閉，提高Q1柵極電壓至12V以上，這樣就不會發熱啦

這是一個切實可行的辦法。改低壓驅動為12V驅動。

mos發熱情況大部分情況原因是兩種：GS間電壓處于半開啟狀態或者DS電流過大，樓主的問題應該是GS間電壓過低沒有完全開啟造成的

按著5樓的做就沒問題了。

MOS管的閾值電壓是4V，你的電路G極電壓經R1,R2分壓后不足4V，顯然，MOS管處于放大狀態，發熱難免。可以試著增大R2或者減小R1甚至短路R1看看。

估計驅動電壓低了，將R2增大到100K左右吧。因為是靜態驅動，R1的值無關緊要，只要與R2的分壓不至于引起MOS管的G極電壓過低就可以了，甚至可以短路R1或者增大R1。

P1.0增加一個三極管，來控制Q1的開閉，提高Q1柵極電壓至12V以上，這樣就不會發熱啦

MOS管導通發熱大是因為你給的柵極電壓太低了。。你用的這個管子，柵極電壓最好在5V以上，不然導通電阻太大。。

發熱可能是激勵電壓不足。建議MCU的VCC=5V，R1=10~100歐，R2=100K，P1.0設置推挽輸出模式，如采用無此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉電阻。

增加漏極電阻Rd試試，改變靜態工作點

P1.0電壓太低了。