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發(fā)布時(shí)間: 2023-4-5 16:10
正文摘要:在使用單片機(jī)控制MOS管模塊時(shí)發(fā)現(xiàn)MOS管未能完全導(dǎo)通,故按照MOS管模塊畫了下電路原理圖(MOS管模塊原理圖1)。 MOS管模塊實(shí)物圖 不知兩個(gè)方法的利弊,故在此求助,再次感謝大佬! 在這個(gè)模塊中還認(rèn)識(shí)了 ... |
sttt300 發(fā)表于 2023-4-6 15:57 感謝!二極管選型還要選擇合適的功率,而功率的計(jì)算與電壓和電流有關(guān)。電壓是二極管的穩(wěn)壓值,電流是Ir4-I(r2+r3);Ir4=(Vin-Vce-穩(wěn)壓值)/R4,I(r2+r3)=(Vin-Vce-穩(wěn)壓值)/(R2+R3)。這樣計(jì)算對嗎? |
2693771204 發(fā)表于 2023-4-6 14:15 快速關(guān)斷二極管不是這么用的吧 放這里看起來應(yīng)該是穩(wěn)壓的作用,如果是的話,沒什么必要 Q1柵極電壓是由電源分壓而來,電壓=(Vin-Vce)/(R4+R3+R2)*R2 輸入電壓Vin是5V-30V,光耦導(dǎo)通壓降Vce可以查規(guī)格書,或者實(shí)際測量一下 這時(shí),計(jì)算5V下,柵極電壓超過Q1完全導(dǎo)通的電壓,而30V下,又不會(huì)超過Q1的柵極最大承受電壓 如果真無法滿足,再加D1穩(wěn)壓,穩(wěn)壓只要選比Q1柵極最大承受電壓低,留些余量就好了 比如最大20V,可以選個(gè)15V穩(wěn)壓管 另外要測量一下Q1柵極的波形,如果失真的話,試試減小R2,R3,R4電阻,再不行就降低PWM頻率 |
Hephaestus 發(fā)表于 2023-4-6 14:08 抱歉,電源里面才有續(xù)流,這個(gè)二極管是讓MOS管快速關(guān)斷的作用 |
2693771204 發(fā)表于 2023-4-6 14:01 沒有電感哪來的續(xù)流? |
實(shí)際上改動(dòng)的這個(gè)電阻只是一個(gè)限流電阻,阻值太大限流過度了會(huì)有比較高的壓降,導(dǎo)致開通失敗,查一下光耦的手冊,如果光耦耐壓足夠,直接就不要那個(gè)電阻了,耐壓不夠就考慮減小阻值,還有圖上的二極管是續(xù)流作用的,不是穩(wěn)壓,你電阻加在那下面沒用,反而續(xù)流二極管會(huì)相當(dāng)于沒用一樣 |
阿迪98 發(fā)表于 2023-4-5 21:51 一定要會(huì)看,也一定要去看MOS管的數(shù)據(jù)手冊 所謂"V GS =4.5V",這個(gè)指的是在這個(gè)條件下,MOS的導(dǎo)通特性,在數(shù)據(jù)手冊中都有說明的 但并不是說一定要到4.5V才能導(dǎo)通,數(shù)據(jù)手冊中都有表格的,你可以大概的參考一下 |
li64331218 發(fā)表于 2023-4-5 21:30 感謝!因?yàn)槭堑谝淮谓佑|到穩(wěn)壓二極管,所以想把這個(gè)給搞明白,方便后面的學(xué)習(xí)與應(yīng)用。如果您有時(shí)間方便的話能對我上面的電阻的方案和穩(wěn)壓二極管選項(xiàng)問題,進(jìn)行詳細(xì)的解答嗎? |
你的問題是想讓mos管完全飽和,做開關(guān)管來使用。現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)不能完全導(dǎo)通,一般是器件參數(shù)不匹配,pwm高電平時(shí),光耦導(dǎo)通,3.4腳0.1V左右,VGS4.9V,Q1導(dǎo)通,LOAD 低電平輸出。PWM 低電平時(shí),光耦斷開,Q1斷開,load高電平輸出。D1穩(wěn)壓管其實(shí)不用也可以的 |
更正:原理圖中Q1的型號由AOD4184L改為D4184(MOS管模塊實(shí)際是D4184)。 |
Y_G_G 發(fā)表于 2023-4-5 17:33 感謝回復(fù)! |
很負(fù)責(zé)任的告訴你,這個(gè)型號的MOS管我用,它導(dǎo)通不需要什么高電壓,3.3V足夠了 如果MOS管發(fā)熱,原因應(yīng)該是PWM的原因 |
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