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MOS管驅動電路問題

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發布時間: 2024-2-3 14:35

正文摘要:

這是我做的,這兩者區別大嗎

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ID:1034262 發表于 2024-2-4 21:50
抗飽和二極管,不用這個二極管,三極管截止時間是幾個us,用了這個二極管,三極管截止時間是幾百ns。
抗飽和相關知識,可以看看課本中分離零件TTL電路的相關章節。
ID:883242 發表于 2024-2-4 17:10
TTQ001 發表于 2024-2-4 08:26
這是 PMOS 晶體管的體二極管,它是在制造 MOSFET 晶體管時制造的。

樓主問的是D1,沒問體二極管,請審題。
ID:628113 發表于 2024-2-4 14:39
看上去 確實用處不大。 仔細看看 , 有可能 能提升 關斷MOS的 速度。
只是猜測, 僅供參考。
ID:420836 發表于 2024-2-4 08:26
這是 PMOS 晶體管的體二極管,它是在制造 MOSFET 晶體管時制造的。
ID:1108581 發表于 2024-2-3 20:46
老哥,圖一中的二極管是由大功率的MOS管生產工藝造成的,不是特地焊裝的啊,大功率MOS管漏極從硅片底部引出,就會有這個寄生二極管。 小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構,漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向,沒有這個二極管。 模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構,所以沒有這個二極管。
ID:883242 發表于 2024-2-3 20:39
二極管沒用。
ID:245473 發表于 2024-2-3 17:28
鉗位S8050基極電壓。

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