這樣的過零電路勉勉強強可以用，類似的過零電路我用過，加了一個三極管反相之后性能好很多，但是，仍然有干擾，后來改成用四腳的光耦，性能一下子好的不得了，控制可控硅導通角燈泡最暗到最亮精度很高，還可以用來計時，相當于用50Hz的交流電計時，平均精度高于RC振蕩器，低于晶體。

donglw 發(fā)表于 2024-4-24 16:36
建議使用帶光電隔離的過零檢測電路

是，可是成本和空間都不允許啊

加個穩(wěn)壓管保險一些

建議使用帶光電隔離的過零檢測電路

感謝大家的指導，本來R18上端有4.7V穩(wěn)壓管接地的，但是現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)這個穩(wěn)壓管質量不穩(wěn)定，問題較多，所以想去掉它試試。我是感覺把R18改大例如47K甚至100K應該是沒問題了

aidianzi 發(fā)表于 2024-3-2 12:38
不知道你單片機IO是否帶鉗位位二極管不，要是帶有的話你限流電阻大一些就沒什么問題，要是沒有那就不要超過 ...

除非像STM32的模擬量輸入徹底沒有任何保護以外，單片機引腳都帶鉗位二極管防可控硅閂鎖，但是為了不影響性能，鉗位能力很有限一般不超過1mA，硬懟還是要燒的。

不知道你單片機IO是否帶鉗位位二極管不，要是帶有的話你限流電阻大一些就沒什么問題，要是沒有那就不要超過電壓，可以試著分壓測試，TTL電平CMOS電平不是絕對的5V為高0V為低是一個范圍值，順便內部有施密特功能的話順便開啟那就沒什么大問題了

串入電阻限制脈沖電流的強度，R17可以并聯(lián)5V1穩(wěn)壓二極管同時可調大R17的阻值。
因為脈沖信號可能有時大，有時小，調整串入電阻和R17的大小，使大信號時脈沖電
流不太大，小信號時也要能被檢測到。

超過VCC+0.7V會引發(fā)可控硅閂鎖燒毀芯片。