len一般是長度吧，看函數(shù)名應該是頁寫，但是可以一次寫好幾頁吧。

哈嘍，現(xiàn)在是2024年

而且，若不是從頁寫緩沖器頁內(nèi)零地址0000寫起，一次寫入地址超出頁內(nèi)最大地址1111時，也將出錯。例如，若從頁內(nèi)地址0000寫起，一次最多可寫16字節(jié)；若從頁內(nèi)地址0010寫起，一次最多只能寫14字節(jié)，若要寫16字節(jié)，超出頁內(nèi)地址1111，將會引起地址翻卷，導致出錯。

以上摘自張志良編著《80C51單片機實用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

實驗18  讀寫AT24C02

書中電路和程序設(shè)計有詳細說明，程序語句條條有注解。

歡迎咨詢，zzlls@126.com

由于E2PROM的半導體工藝特性，對E2PROM的寫入時間需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內(nèi)部設(shè)置了一個具有SRAM性質(zhì)的輸入緩沖器，稱為頁寫緩沖器。CPU對該芯片寫操作時，AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數(shù)據(jù)暫存在頁寫緩沖器內(nèi)，然后，慢慢寫入E2PROM中。因此，CPU對AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節(jié)數(shù)，受到該芯片頁寫緩沖器容量的限制。頁寫緩沖器的容量為16B，若CPU寫入字節(jié)數(shù)超過芯片頁寫緩沖器容量，應在一頁寫完后，隔5～10ms重新啟動一次寫操作。

以上摘自張志良編著《80C51單片機實用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

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可以是20字節(jié)啊，你只有在寫FLASH的時候 有頁的劃分

頁的定義在不同的環(huán)境（IC不同，協(xié)議不同，等等……）下是不同的，所以不確定。

不知道問什么