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發(fā)布時(shí)間: 2017-3-28 10:27
正文摘要:功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，在正常的硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。 在MOSFET開(kāi)通的過(guò)程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能的能量將會(huì)通過(guò)MOSFET放電，產(chǎn)生損耗。 ... |
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