倒裝LED 芯片, 通過 MOCVD技術在藍寶石襯底上生長 GaN 基 LED 結(jié)構(gòu)層,由 P/N 結(jié)發(fā)光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P 型區(qū)射出。由于 P 型 GaN 傳導性能不佳,為獲得良好的 電流擴展,需要通過蒸鍍技術在 P 區(qū)表面形成一層Ni- Au 組成的金屬電極層。P 區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展,Ni-Au 金屬電極層就不能太薄。為此,器件的發(fā)光效率就會受到很大影響,通 常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下,金屬薄膜的存在, 總會使透光性能變差。此外,引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。 采用 GaN LED 倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問題。
在倒裝芯片的技術基礎上,有廠家發(fā)展出了LED 倒裝無金線芯片級封裝。
什么是LED 倒裝無金線芯片級封裝
倒裝無金線芯片級封裝,基于倒裝焊技術,在傳統(tǒng) LED 芯片封裝的基礎上,減少了金線封裝工藝, 省掉導線架、 打線, 僅留下芯片搭配熒光粉與封裝膠使用。作 為新封裝技術產(chǎn)品,倒裝無金線芯片級光源完全沒有因金線虛焊或接觸不良引起的不亮、閃爍、光衰大等問題。相比于傳統(tǒng)封裝工藝,芯片級光源的封裝密度增加了 16 倍,封裝體積卻縮小了80%,燈具設計空間更大。倒裝無金線芯片憑借更穩(wěn)定的性能、更好的散熱性、更均勻的光色分布、更小的體積受到越來越多 LED 燈具企業(yè)和終端產(chǎn)品應用企業(yè)的青睞。