模電第一張的總結。
詳細的散知識點
本征半導體（導電性能差，溫度穩定性差）
雜質半導體 （導電性能由摻雜濃度人為可控）
N型（自由電子）P型（空穴）半導體，載流子的有序運動（擴散與漂移）
PN結的單向導電性，反向擊穿特性（高摻雜時齊納擊穿，低摻雜時雪崩擊穿），溫度特性（正向電流具有正溫度系數，正向壓降具有負溫度系數，由正向勢壘高度降低導致，反向電流具有正溫度系數，由少子濃度增大導致），電容效應（勢壘電容與擴散電容（正向電壓），高頻）電流方程（i=Is(equ/kT -1),其中q/kT=UT≈26mV（300K溫度））
半導體二極管（PN結封裝并引出電極，主要參數（最大整流電流IF(有效值),最高反向工作電壓UR(瞬時值)，反向電流IR，最高工作頻率fM(結電容)）三種等效電路（理想二極管（指數關系），常用模型（U=UOn）,精確模型（線性關系）），穩壓二極管（反向擊穿特性），發光二極管，光電二極管）
晶體三極管（截止區，放大區，飽和區。基極電流分流損失小信號，發射結正向偏置，集電極反向偏置時具有電流放大作用，發射區多子的擴散運動形成IE，基區非平衡少子與多子的復合運動形成基極電流IB，集電結少子的漂移運動形成Ic，共射特性曲線（輸入特性曲線（隨集射電壓UCE的增大而右移），輸出特性曲線），主要參數（β（共射電流放大倍數），α（共基電流放大倍數），ICBO與ICEO（極間反向電流），ICM（最大集電極電流），U（BR）CEO（極間反向擊穿電壓），PCM（最大集電極耗散功率），fT（特征頻率，共射電流放大系數下降到一）））
場效應管（夾斷區，恒流區，可變電阻區，擊穿區。結型與絕緣柵型，利用柵源之間外加的電壓所產生的電場來改變導電溝道的寬窄從而控制多子漂移運動所產生的漏極電流iD，主要參數（gm（低頻跨導表示uGS對iD控制作用的強弱，gm=ΔⅈD/(ΔU_Gs )|Uds=常數），UGS（th）（增強型MOS管的開啟電壓），UGS（off）（結型場效應管和耗盡型MOS管的夾斷電壓），IDSS（對于結型場效應管在UGS=0時產生預夾斷時的飽和漏極電流），IDM（最大漏極電流），U（BR）DS（恒流區漏源擊穿電壓，對于結型場效應管使柵極與溝道間的PN結反向擊穿的uGS為柵源擊穿電壓，對于絕緣柵型場效應管使絕緣層擊穿的uGS為柵源擊穿電壓），PDM（最大耗散功率），極間電容）電流方程(結型場效應管(iD=IDSS(1-u_Gs/u_Gs(off) ))絕緣柵型場效應管(iD=IDO(u_GS/(⋃_Gs▒(th) ) -1)[IDO為uGS=2UGS(th)時的iD]))）
VMOS管（散熱性能好，可制成大功率管）
完整的Word格式文檔51黑下載地址：
模電第一章.docx
(45.64 KB, 下載次數: 7)
2018-7-11 10:22 上傳
點擊文件名下載附件
|
