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NAND flash頁的訪問及片選無關技術

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ID:373193 發表于 2018-7-17 13:46 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
1、nand Flash中頁的訪問順序
在一個塊內,對每一個頁進行編程的話,必須是順序的,而不能是隨機的。比如,一個塊中有128個頁,那么你只能先對page0編程,再對page1編程,。。。。,而不能隨機的,比如先對page3,再page1,page2.,page0,page4,.。。。
2、片選無關(CE don’t-care)技術
很多Nand flash支持一個叫做CE don’t-care的技術,字面意思就是,不關心是否片選,
那有人會問了,如果不片選,那還能對其操作嗎?答案就是,這個技術,主要用在當時是不需要選中芯片卻還可以繼續操作的這些情況:在某些應用,比如錄音,音頻播放等應用中,外部使用的微秒(us)級的時鐘周期,此處假設是比較少的2us,在進行讀取一頁或者對頁編程時,是對Nand Flash操作,這樣的串行(Serial Access)訪問的周期都是20/30/50ns,都是納秒(ns)級的,此處假設是50ns,當你已經發了對應的讀或寫的命令之后,接下來只是需要Nand Flash內部去自己操作,將數據讀取除了或寫入進去到內部的數據寄存器中而已,此處,如果可以把片選取消,CE#是低電平有效,取消片選就是拉高電平,這樣會在下一個外部命令發送過來之前,即微秒量級的時間里面,即2us-50ns≈2us,這段時間內取消片選,可以降低很少的系統功耗,但是多次的操作,就可以在很大程度上降低整體的功耗了。
總結起來簡單解釋就是:由于某些外部應用的頻率比較低,而Nand Flash內部操作速度比較快,所以具體讀寫操作的大部分時間里面,都是在等待外部命令的輸入,同時卻選中芯片,產生了多余的功耗,此“不關心片選”技術,就是在Nand Flash的內部的相對快速的操作(讀或寫)完成之后,就取消片選,以節省系統功耗。待下次外部命令/數據/地址輸入來的時候,再選中芯片,即可正常繼續操作了。這樣,整體上,就可以大大降低系統功耗了。
:Nand Flash的片選與否,功耗差別會有很大。如果數據沒有記錯的話,我之前遇到我們系統里面的nand flash的片選,大概有5個mA的電流輸出呢,要知道,整個系統優化之后的待機功耗,也才10個mA左右的。
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