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GD32F205RCT6是基于Cortex M3內(nèi)核32bit(位)通用型MUC產(chǎn)品，主頻為120MHz, 片內(nèi)閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓范圍為2.6V-3.6V,內(nèi)核的供電電壓為1 .2V, l/O口可承受5V電平，內(nèi)嵌實時時鐘(RTC) 和2個看門狗(WDG)， 集成了豐富的外設(shè)功能，這款單片機GD32F205RCT6面向工業(yè)和消費類嵌入式應(yīng)用，適用于工業(yè)自動化、人機界面、電機控制、安防監(jiān)控、智能家居家電及物聯(lián)網(wǎng)等,
單片機GD32F205RCT6內(nèi)置SRAM為128KB的內(nèi)存，但在面對實際上的應(yīng)用設(shè)計中，如果出現(xiàn)單片機內(nèi)置SRAM內(nèi)存不夠的情況，大部分設(shè)計人員會考慮外擴SRAM，SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快，也不存在讀寫限制的問題，確實是考慮外擴內(nèi)存的首選，但如果采用并口外擴內(nèi)存需要較多的MCU管腳，給MCU無形中帶來了更多功能性的限制，并且也并非大部分的MCU可以支持， 如果采用串行SRAM作為單片機外擴的資源，相對來說更好，串行SRAM只需要八個管腳，SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積，
GD32F205RCT6這款MCU是支持SPI接口的，并且有三個SPI，可以通過用SPI接口外擴串行SRAM對單片機進行內(nèi)存的拓展。串行SRAM其實嚴(yán)格來說是一種偽靜態(tài)SRAM，也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協(xié)議（無需刷新，無需DRAM控制器）、具有DRAM單管存儲結(jié)構(gòu)的存儲器，比SRAM容量大很多，價格便宜很多，比SDRAM容易使用，功耗也低很多。不失為外擴單片機內(nèi)存的一種解決方案。
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