全志硬件測試軟件DragonHD.1.2.4與DRAM測試工具使用教程與軟件下載

ID:349617 · 發表于 2018-9-22 09:03

目錄
DragonHD 項目 1 使用說明/v1201
1 概述3
11 關于 DragonHD 3
12 工具界面 3
2 使用流程4
21 啟動工具 4
22 插拔設備 6
23 查看日志 8
24 停止檢測 8
25 保存/打開模板 8
3 其他事項11

1. 概述

1.1.關于 DragonHD

DragonHD 提供一種無需下載固件，即可快速對硬件進行檢測、診斷的工具手段。支持 1 拖 8，多平臺通用，PCBA 裸板通過 USB 連接 PC 進入測試，每臺設備可單獨輸出 log，定位為診斷、連通性測試、穩定性測試工具。

1.2.工具界面

2. 使用流程

2.1.啟動工具

雙擊

打開工具后，界面可分為 4 個區域，如下圖：

區域 1：操作區，工具的基本操作包含設置 DDR clk 頻率，設置循環次數和啟動/停止測試。

區域 2：平臺用例區，選擇平臺后該區域顯示選定平臺的所有用例，用戶可屏開，收縮和勾選需要測試的用例。

區域 3：測試信息區，該區域顯示設備測試進度，測試狀態，測試結果和過程日志信息。

區域 4：軟件功能區，包含的操作包含打開配置模版，保存配置模板，更新升級，退出軟件。勾選平臺/用例

點擊平臺下拉選擇框選定要測試的設備平臺，區域 2 將顯示選定平臺的所有用例，用戶勾選所需測試的用例后，點擊“啟動”按鈕工具即進入設備檢測狀態，如圖：

2.2.插拔設備

工具進入設備檢測狀態后即可插入待測試設備，樣機按量產方法使設備進入測試狀態，運行前必須不能同時運行其他燒錄工具如 phoenixsuit。首次使用的 USB 接口將會被記錄關聯，最多關聯 16 個 USB 接口，用戶必須在 USB 接口首次關聯后記下 USB 口與設備號的關聯 ID，并在 USB 接口標記該 ID 號，如下圖插入設備后被關聯的設備 ID 為 1（設備 1 的顯示由灰變黑），即在該 USB 接口貼上標號：1。此后從此 USB 接口插入的設備信息都將記錄在“設備 1”一行。

注：USB 接口的關聯與機器相關，如需將工具打包發送或者需要清空關聯信息重新關聯，請退出工具并刪除工具目錄下名為 fels.bin 的文件。

測試成功后結果顯示：

2.3.查看日志

在設備檢測的過程中，設備被拔出之前，用戶可隨時點擊設備號右邊的“查看 LOG”查看應對設備的檢測日志。出現用戶誤操作情況：

1.過早拔出設備并希望查看拔出前的日志時，需要查看設備拔出前的日志信息，即需手動打開工具目錄下的子目錄 LOG/，找到相應設備編號的日志文件打開即可。

2.拔出設備后又在工具處于檢測狀態下插進了新的設備，這種情況下如需查看之前拔出的設備日志信

息，即需手動打開工具目錄下子目錄 LOG/backup/，按設“備號-日期.txt”查找對應日志，工具只為每個接口保留最后 10 次插拔設備的日志信息，更早的日志信息被永久刪除。

2.4.停止檢測

在檢測過程中如需停止檢測，以更新勾選用例或者其他操作，可在所有正在測試的設備完成或者拔出后點擊“停止”按鈕，工具即退出檢測狀態，此時設備的插拔將不影響 USB 接口的關聯和日志的更新。

2.5.保存/打開模板

用戶在勾選完平臺/用例，填寫后頻率和循環次數后，可點擊區域 1 的“保存當前配置”按鈕將勾選情況保存到特定文件，此后可在工具打開后點擊“導入配置”按鈕，選擇保存的模板文件，工具即恢復到之前保存的狀態，無需再次勾選。

保存模板

打開保存的模板

3. 其他事項

工具打開時確保沒有設備連接，否則可能出現“無法啟動”的情況。

DRAM 測試工具應用指南
1  DRAM 測試工具應用聲明4
2  DRAM 測試相關設置4
21 基本設置：4
22 測試結果分析5
221  初始化失敗5
222  壓力測試失敗5
223  參數修改6
224  測試通過7

1.DRAM測試工具應用聲明

1.測試工具用于 DRAM硬件連通性和初步穩定性測試

2.測試工具不可代替 DRAM老化測試

工具優勢:

測試便捷:裸板連接 USB 即可測試。

快速定位硬件連通性:能快速定位焊接不良的顆粒(如 4*8 的顆粒可定位到具體某顆焊接不良)。

測試時間短:1MIN 可測試完一個 loop，可迅速測試出穩定性一般的 case(這些 case 上系統老化測試可能需要幾小時才能 detect 出)。

調試問題便捷，對 DRAM 不穩定的板卡，工具端迭代修改參數測試，較上系統驗證節省 90%的時間(上案桌系統修改參數驗證一輪短則 10 分鐘長則幾小時，工具端不到 3 分鐘)。

工具局限性:

因為測試時間短無法 cover 到所有不穩定的 case，這些 case 可能需長時間老化測試才能暴露問題，所以本工具不能代替 DRAM 老化測試。

工具主要測試的是 DRAM 的 IO 性能，對 DRAM 內部 CELL 的物理特性測試有一定局限性(這部分測試主要靠 DRAM 原廠保證)，所以測試工具如作為黑片篩選有一定風險。

2.DRAM測試相關設置

2.1. 基本設置：

打開 DragonHD 后，關注左側測試選項：

1、選取測試平臺(如測試 A64 就在平臺下拉列表選擇 A64)；

2、調整 DDR頻率，一般以量產頻率為準(下拉列表選擇)；

3、選擇循環測試次數，推薦 3 次；

4、勾選測試項，推薦全選(如 DDR3 就勾選 DDR3 菜單的所有測試項)；

5、按“啟動”然后使機器進入 efex 狀態(即燒寫固件狀態)；

6、等待測試完成并查看 log。

7、(注:DragonHD 所有測試模塊必須使機器進入 efex 狀態，即固件燒寫狀態方可使用，請勿同時開啟 PhoenixSuit等燒寫工具，否則會導致測試失敗)

2.2.測試結果分析

2.2.1.初始化失敗

如下圖所示 LOG 標紅代表測試失敗，點擊查看 LOG 可以看到 dram init fail 即 dram 初始化失敗：

通過查看 log，可以看到通道 0 的 byte 1 及 byte 3 的 erro 標識為 1，說明錯誤出現在 byte 1 和 byte 3。因此先要查看對應的原理圖和 PCB，確認是哪些 DRAM 顆粒可能存在問題：

Byte1 和 byte3 對應的就是 DQS1 和 DQS3 的鏈接片子，可以確認 D3_U1 這里存在問題，通過對應 PCB 找到 DRAM 顆粒位置，如初始化失敗可先檢查電源，電源無異常基本就是焊接問題，根據工具端打印的初始化失敗的 byte 找到對應的 DRAM 片子更換即可。

2.2.2.壓力測試失敗

如標紅代表測試失敗，點擊可看到如下所示 LOG，顯示 dram memtester fail 即 dram 讀寫測試失敗了，工具端打印出了出錯的 bit 即 16bit 出錯代表dq16 出錯(0x10000 換成二進制就是 16bit 為 1)，而 bit16 就代表 byte2 出錯(byte0:dq0~dq7,byte1:dq8~dq15,byte2:dq16~dq23,byte3:dq24~dq31)。此外工具端初始化成功后還會打印出容量信息。如貼的是正片，說明 dram 信號不穩定，需要進一步調節參數讓 dram 子系統穩定，如貼的非正規物料可能是信號不穩定也可能是片子本身存在壞塊，具體情況還需具體分析。

2.2.3.參數修改

2.2.2 中提到測試出錯，如板卡測試出錯代表 DRAM 不穩定，就需要 debug，工具開放了 DRAM 的參數接口供開發人員進行修改，以 A64 為例先左鍵點擊 dram_init 然后點擊右鍵即可選擇編輯參數，如下圖所示界面，可以看到此參數和 SDK 的 sys_config.fex 中的 DRAM 參數部分一樣。這樣就可以直接在工具端調試，省去上系統的繁瑣測試過程，可供修改的參數為 dram_zq和 dram_mr1，即主控端和 DRAM 端的阻抗參數。

clk = 672 dram_type = 3

dram_zq = 0x3b3bbb dram_odt_en = 0x1 dram_para1 = 0x10E410E4 dram_para2 = 0x1000 dram_mr0 = 0x1840 dram_mr1 = 0x40 dram_mr2 = 0x18 dram_mr3 = 0x2 dram_tpr0 = 0x004A2195dram_tpr1 = 0x02424190 dram_tpr2 = 0x0008B060 dram_tpr3 = 0x04b005dc dram_tpr4 = 0x0 dram_tpr5 = 0x0dram_tpr6 = 0x0 dram_tpr7 = 0x0 dram_tpr8 = 0x0dram_tpr9 = 0x0 dram_tpr10 = 0x8808 dram_tpr11 =0x0 dram_tpr12 = 0x55550000 dram_tpr13 = 0x04000900

SOC 端阻抗調節，SOC 端阻抗即調節 dram_zq，以 A64 為例默認阻抗為 0x3b3bfb，對應的參數說

明為為如下表所示，2.2.2 中提到的壓力測試失敗，且出錯的是 16bit 也就是 byte2 出問題，所以可以嘗試調節 byte2 的輸出驅動能力或 ODT，如修改為0x3b3dfb，再測試看是否 PASS，不斷迭代修改測試(注意每次修改參數都需要將工具停止后再啟動，這樣修改的參數才生效)。

[23:20] Byte2/3 on die termination(終端 ODT) [19:16] Byte2/3 output impedance (輸出驅動能力)[15:12] Byte0/1 on die termination(終端 ODT) [11:8] Byte0/1 output impedance (輸出驅動能力) [7:4] CLK output impedance(輸出驅動能力)

[3:0] CA output impedance(輸出驅動能力)

DRAM 端阻抗調節，通過調節 mr1 可以修改 DRAM 端的輸出驅動能力和 ODT 的，如下表所示為 mr1 的說明，可以通過 MR1 的值來達到調節 DRAM端的 ODT 和阻抗，默認設置 mr1=0x40，即輸出驅動能力為 RZQ/6=240Ω/6=40Ω，ODT 為 RZQ/2=240Ω/2=120Ω。當出現壓力測試報錯時，可以嘗試修改主控端或 DRAM 端的 ODT 或驅動能力。

	碼值	Output Driver Impedance Control
Bit5:Bit1	00	RZQ/6
Bit5:Bit1	01	RZQ/7
	碼值	on die termination
Bit9:Bit6:Bit2	000	Disable odt
Bit9:Bit6:Bit2	001	RZQ/4
Bit9:Bit6:Bit2	010	RZQ/2
Bit9:Bit6:Bit2	011	RZQ/6