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2019-8-22 14:28 上傳
閘極加入正電壓時，通道內(nèi)之正電荷被排斥，而源極與汲極之負電荷被吸引而移向閘極。
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2019-8-22 14:28 上傳
閘極加入更多的正電壓，源極與汲極的負電荷受到更大的吸引，向通道移動。
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2019-8-22 14:29 上傳
當閘極的電壓足夠大時(大於臨界電壓)，氧化層下充滿負電荷而形成通道，電晶體成為導通狀態(tài)。
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2019-8-22 14:29 上傳
結論
•NMOS電晶體在閘極不加電壓時，呈現(xiàn)所謂的“截止狀態(tài)”。不論源汲極間電壓為何，源汲極無法導通。
• 當NMOS之閘極電壓大於某臨界電壓值時，電晶體呈現(xiàn)所謂的“導通狀態(tài)”，源汲極間電流可流通。
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2019-8-22 14:30 上傳
PMOS的改進
• 另一種方式
– 將通道加上正電壓，則閘極就形成相對負電
– 此時閘極接地就可產(chǎn)生通道現(xiàn)像
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2019-8-22 14:30 上傳
PMOS的工作原理
• 閘極為0時，通道導通
• 閘極為1時，通道反而不通
• 但是基底要接上正電源
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2019-8-22 14:31 上傳
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2019-8-22 09:46 上傳
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