|
51hei.png (141.47 KB, 下載次數(shù): 105)
下載附件
2020-4-12 22:19 上傳
乘法器內(nèi)置THD優(yōu)化電路,以減小過零點(diǎn)失真,降低THD值(這是L6561所不具備的);
極低啟動(dòng)電流(典型值:30uA;保證60uA以下),可降低芯片功耗;
內(nèi)部參考電壓于25℃時(shí)誤差率在1﹪以內(nèi);
除能(Disable)功能,當(dāng)誤差放大器輸入低于0.2V,系統(tǒng)將關(guān)閉,降低損耗;
精確可調(diào)的外部過電壓保護(hù);
內(nèi)部啟動(dòng)及零電流偵測(cè)(ZCD)功能;
在電流檢測(cè)輸入端內(nèi)置領(lǐng)先的數(shù)字RC濾波器,過零頻率附近的高頻區(qū)域仍然可以工作,
因此降低了總的諧振失真度 ;
800mA的圖騰級(jí)輸出,可用于直接驅(qū)動(dòng)Power MOSFET。
L6562A主要特點(diǎn)有:
51hei.png (97.07 KB, 下載次數(shù): 101)
下載附件
2020-4-12 22:20 上傳
|
|