像2301那種mos導通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的

ID:668004 · 發表于 2020-4-16 15:45

如題

ID:612392 · 發表于 2020-4-16 16:14

怎么可能沒有損耗，都有導通內阻的，規格書上會定義。

ID:730718 · 發表于 2020-4-16 17:00

mos的導通損耗和通過的電流和mos的內阻有關，可以自己計算下

ID:692132 · 發表于 2020-4-16 17:36

仿真是理想狀態，琛想和現實的差別有些時候還很大

ID:10947 · 發表于 2020-4-16 18:12

導通后，DS之間相當于是個小電阻，具體有多小，看規格書，有毫歐級的，也有歐姆級的。

ID:213173 · 發表于 2020-4-17 08:51

新型MOS管的飽和導通內阻在幾毫歐到幾十毫歐，做低頻開關其損耗很小。但用于高頻就不同了，隨頻率升高損耗也增大。

ID:213173 · 發表于 2020-4-17 08:52

新型MOS管的飽和導通內阻在幾毫歐到幾十毫歐，做低頻開關其損耗很小。但用于高頻就不同了，隨頻率升高損耗也增大。

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