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MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車，工業(yè)，軍事和太空應(yīng)。
基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的磁力計(jì)將使用MRAM替代日本研究衛(wèi)星上的靜態(tài)RAM和閃存。MRAM取代了Angstrom的SpriteSat模塊中的閃存和電池供電的SRAM。MRAM在衛(wèi)星任務(wù)的各個(gè)階段重新配置關(guān)鍵程序和航線定義的能力是一項(xiàng)重大收益。
工程師在SpriteSat上檢查了Angstrom航空航天公司基于MRAM的磁力計(jì)子系統(tǒng)，該子系統(tǒng)將由日本航空航天開發(fā)局啟動(dòng)。
MRAM于1990年代構(gòu)想，可以替代從RAM到硬盤的各種類型的內(nèi)存。由于它是固態(tài)的，因此MRAM超越了硬盤的旋轉(zhuǎn)機(jī)制。同樣，由于單個(gè)位可以無限次地擦除和重寫，因此MRAM超過了閃存，后者只能在小于100萬次的大塊中擦除和重寫，直到位開始失效。MRAM也是非易失性的。
Angstrom Aerospace在其衛(wèi)星子系統(tǒng)中僅使用MRAM。MRAM將保存存儲(chǔ)的程序數(shù)據(jù)以及其現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列的配置位。此外MRAM相對(duì)容易的重新編程能力將允許通過將新的內(nèi)存映像上傳到MRAM來從頭對(duì)程序代碼和FPGA進(jìn)行重新配置。
例如Everspin MRAM MR2A16A存儲(chǔ)4 Mbit數(shù)據(jù)，對(duì)于軍事和航空航天等利基應(yīng)用，MRAM開始取代其他類型的內(nèi)存。MR2A16A是永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序的理想存儲(chǔ)器。擁有商業(yè)，工業(yè)運(yùn)行溫度。MR2A16A MRAM具有在-55至+125攝氏度的溫度范圍內(nèi)符合軍事規(guī)格。Everspin MRAM在-40至+105攝氏度下運(yùn)行。提供AEC-Q100 1級(jí)合格選項(xiàng)。35ns的讀寫速度，具有無限的耐力。數(shù)據(jù)非易失性，使用壽命長達(dá)20年。數(shù)據(jù)保留掉電。符合RoHS的軟件包等功能.
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