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求助單片機通過光耦驅PMOS問題

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ID:282626 發表于 2020-9-14 20:06 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本人最近通過參考網上資料,設計了一個單片機 通過 光耦 驅動 P溝道MOS 管,控制電磁閥的電路,由于本人新手小試,電路設計出來了,不知有沒有問題,現向各位大神請教,電路是否可行,電阻是否匹配,那一個電路電阻更好。

mos2.png
MOS1.png
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ID:401564 發表于 2020-9-14 23:25 | 顯示全部樓層
不要光耦合器,不要,不要
一個電阻加一個N溝道的MOS管就可以了,請參考NPN三極管控制繼電器的電路
不要把簡單事情復雜化
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ID:149144 發表于 2020-9-15 00:52 | 顯示全部樓層
個人認為 R3 R5 R6 都不要,R4 到光耦 第 4 腳 之間串一個 10-100R 電阻
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ID:282626 發表于 2020-9-15 01:19 | 顯示全部樓層
謝謝您的回復。
看了網上的NPN三極管控制繼電器的電路的有關介紹,還是有些不明白。找到了這個:
https://www.dgzj.com/zhishi/danpianji/94941.html
一、使用單片機的低電平開啟電磁閥,可能用P溝道的MOS管更好;
二、單片機與MOS管的直通,輸出電流可能驅動不了P MOS吧,需要放大。
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ID:282626 發表于 2020-9-15 01:20 | 顯示全部樓層
這個求助一是要解決單片機控制多個電磁閥的問題,另一個原因就是想學習一下光耦與 MOS管的電路設計問題。
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ID:282626 發表于 2020-9-15 01:27 | 顯示全部樓層
cuihaodianzi 發表于 2020-9-15 00:52
個人認為 R3 R5 R6 都不要,R4 到光耦 第 4 腳 之間串一個 10-100R 電阻

R6控制電磁閥的電流的,這個應該保留吧。
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ID:332444 發表于 2020-9-15 06:36 | 顯示全部樓層
總的說電路考慮的還周到,就是R1、2、3可以省,光耦串聯電阻大約在4K左右,這要看你選擇在曲線的哪個位置決定電阻的值。P2口通常不需上拉,限流同接到IO合并即可。
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ID:332444 發表于 2020-9-15 06:38 | 顯示全部樓層
不過光耦這樣接法還不是最優,最優應該用射隨器驅動光耦。
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ID:213173 發表于 2020-9-15 07:08 | 顯示全部樓層
MOS管是電壓驅動型,用作低頻開關幾乎沒有驅動電流。
無標題.jpg

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ID:282626 發表于 2020-9-15 10:10 | 顯示全部樓層
wulin 發表于 2020-9-15 07:08
MOS管是電壓驅動型,用作低頻開關幾乎沒有驅動電流。

謝謝,很有啟發。
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ID:282626 發表于 2020-9-15 10:14 | 顯示全部樓層
本帖最后由 hebxk311a 于 2020-9-15 10:33 編輯
xianfajushi 發表于 2020-9-15 06:36
總的說電路考慮的還周到,就是R1、2、3可以省,光耦串聯電阻大約在4K左右,這要看你選擇在曲線的哪個位置決 ...

綜合7樓,3樓的意見,修改后的電路圖是否合適?d:\MOSX1.png
MOSX1.png
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ID:282626 發表于 2020-9-15 10:31 | 顯示全部樓層
wulin 發表于 2020-9-15 07:08
MOS管是電壓驅動型,用作低頻開關幾乎沒有驅動電流。

這二個電路在單片機IO口輸出低電平時能做到開、高電平關電磁閥么?我感覺有些問題。
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ID:282626 發表于 2020-9-15 10:32 | 顯示全部樓層
我做的只是一個電磁閥開關電路,要求也就是偶爾開一次,但開通和關閉要迅速,低延遲,且開通的時間非常短。
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ID:332444 發表于 2020-9-15 11:08 | 顯示全部樓層
修改后基本可以,用光耦驅動比較適合更廣的后級元件選擇,采用直接驅動得選低壓驅動的場效應。至于時間的推算可參考選用元件的頻率參數,主用是電磁閥的時間應該比電子元件的遠遠大。
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ID:332444 發表于 2020-9-15 11:11 | 顯示全部樓層
不過光耦的限流電阻似乎大了,流過發光管的電流是否符合光耦要求,還需要查看元件曲線去計算,應該用5-光耦發光管壓降/電阻=電流
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ID:213173 發表于 2020-9-15 16:00 | 顯示全部樓層
hebxk311a 發表于 2020-9-15 10:31
這二個電路在單片機IO口輸出低電平時能做到開、高電平關電磁閥么?我感覺有些問題。

上面給你的兩個圖都是高電平驅動,如果你堅持要用低電平驅動可按下圖連接。 無標題.jpg

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ID:282626 發表于 2020-9-15 18:41 | 顯示全部樓層
wulin 發表于 2020-9-15 16:00
上面給你的兩個圖都是高電平驅動,如果你堅持要用低電平驅動可按下圖連接。

收到,有受益。謝謝回復。但是如圖連接時,1.8K電阻是否會將12V都在PMOS上了,超過了SI2301的VGS=8V,下面應該加上一個1.8k的分壓電阻,這樣保證vgs=6v左右。
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ID:282626 發表于 2020-9-15 18:44 | 顯示全部樓層
本帖最后由 hebxk311a 于 2020-9-15 18:45 編輯

首先,謝謝各位大神的無私指點,很受益。
在綜合了各位大神的意見與建議,修改后的電路如下。
MOSX2D.png
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ID:213173 發表于 2020-9-15 18:59 | 顯示全部樓層
hebxk311a 發表于 2020-9-15 18:41
收到,有受益。謝謝回復。但是如圖連接時,1.8K電阻是否會將12V都在PMOS上了,超過了SI2301的VGS=8V,下 ...

可以用兩個1K電阻分壓。低速開關,這個電阻大小不必太計較。
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ID:282626 發表于 2020-9-15 19:40 | 顯示全部樓層
首先,謝謝壇主將這個求助帖子移動到24小時必答區,至此才能得到各位大神的關照指點。
其次,謝謝諸位的熱心指點,本人受益良多,對光耦、MOS管的驅動和連接問題有了更加深入的認識。

在綜合了各位的意見與建議后,將最終電路修改為以下狀態,這次應該可以用了。如有更好的意見與建議,也歡迎指點。

修改后的電路及參數

修改后的電路及參數
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ID:213173 發表于 2020-9-15 21:34 | 顯示全部樓層
hebxk311a 發表于 2020-9-15 19:40
首先,謝謝壇主將這個求助帖子移動到24小時必答區,至此才能得到各位大神的關照指點。
其次,謝謝諸位的熱 ...

R2純屬多余,R6的存在可能導致電磁閥功率不足,工作不可靠。
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ID:282626 發表于 2020-9-16 15:48 | 顯示全部樓層
wulin 發表于 2020-9-15 21:34
R2純屬多余,R6的存在可能導致電磁閥功率不足,工作不可靠。

謝謝。在您的提醒下,仔細想了想,您的意見非常對。
R2原來是想為在沒有R9時供PMOS泄壓用的,下面增設了R9后,這個R2是沒有用了。
R6算錯了,今天仔細想了想,P=U^2/R , R=24, 這個應該是它本身的阻抗了,是不應該加R6這么個電阻,加了R6會導致該路電阻增加,電流降低,從而導致功率下降。
最終,取消R2,R6.
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ID:332444 發表于 2020-9-16 16:22 | 顯示全部樓層
電路設計有待提升的空間
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ID:282626 發表于 2020-9-16 16:52 | 顯示全部樓層
xianfajushi 發表于 2020-9-16 16:22
電路設計有待提升的空間

謝謝指點,學習了。
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ID:382454 發表于 2020-9-18 16:10 | 顯示全部樓層
9#的方案最好。MOS管可以選低開啟的MOS功率管
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ID:282626 發表于 2020-9-22 23:45 | 顯示全部樓層
本帖最后由 hebxk311a 于 2020-9-22 23:51 編輯

先謝謝大家。
根據各方面的意見,在最終選配元件后,電路和參數調整如下。
圖片1.png
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ID:282626 發表于 2020-9-22 23:50 | 顯示全部樓層
這是最后確定的電路及參數。光耦的驅動電流在8mA左右,滿足光耦驅動、單片機的要求。光耦主要是手頭有P621。PMOS管從SI2301換成P5305,主要是考慮手工在洞洞板上焊接方便。
圖片1.png
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ID:149144 發表于 2020-9-22 23:51 | 顯示全部樓層
hebxk311a 發表于 2020-9-15 01:27
R6控制電磁閥的電流的,這個應該保留吧。

你的電磁閥是 12V 電源也是 12V ,還控制什么電流
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ID:149144 發表于 2020-9-22 23:54 | 顯示全部樓層
hebxk311a 發表于 2020-9-15 01:27
R6控制電磁閥的電流的,這個應該保留吧。

用 TC4420 試試吧,比較穩定,也沒那么復雜,幾塊錢一個
電源和設備都是 12 V ,為什么還要限流呢
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ID:282626 發表于 2020-9-22 23:54 | 顯示全部樓層
cuihaodianzi 發表于 2020-9-22 23:51
你的電磁閥是 12V 電源也是 12V ,還控制什么電流

R6取消了,抱歉,給大家填麻煩了。主要是頭腦一沖動,計算時考慮錯了。
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