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SI2308BDS-T1-GE3 場效應管 pdf資料下載

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ID:351643 發表于 2020-9-17 15:25 | 只看該作者回帖獎勵

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技術參數

品牌：	VISHAY/威世通
型號：	SI2308BDS-T1-GE3
批號：	19+
封裝：	SOT-23
數量：	12078
QQ：	2355239042
制造商：	Vishay
產品種類：	MOSFET
RoHS：	是
技術：	Si
安裝風格：	SMD/SMT
封裝 / 箱體：	SOT-23-3
通道數量：	1 Channel
晶體管極性：	N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：	60 V
Id-連續漏極電流：	2.3 A
Rds On-漏源導通電阻：	156 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：	10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：	1 V
Qg-柵極電荷：	6.8 nC
最小工作溫度：	- 55 C
最大工作溫度：	+ 150 C
Pd-功率耗散：	1.66 W
配置：	Single
通道模式：	Enhancement
商標名：	TrenchFET
封裝：	Cut Tape
封裝：	MouseReel
封裝：	Reel
系列：	SI2
晶體管類型：	1 N-Channel
商標：	Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值：	5 S
下降時間：	7 ns
產品類型：	MOSFET
上升時間：	10 ns
工廠包裝數量：	3000
子類別：	MOSFETs
典型關閉延遲時間：	10 ns
典型接通延遲時間：	4 ns
零件號別名：	SI2308BDS-GE3
單位重量：	8 mg

si2308bd.pdf (324.35 KB, 下載次數: 4)

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