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‘非易失性’是指MRAM單元在關(guān)斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質(zhì)各異。閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠?jī)蓚�(gè)閃存反相器交叉耦合組成，也就是由晶體管、電阻及電容等元器件組合而成的記憶單元,實(shí)際上是靠微小電容器存儲(chǔ)的一份電荷來(lái)保存信息,如果斷電則這份電荷就會(huì)耗盡。但MRAM單元卻簡(jiǎn)單多了，它的四層薄膜中有三層都是鐵磁性材料,寫入自由層的數(shù)據(jù):0或Ⅰ狀態(tài),設(shè)置的原理基于磁性材料固有的磁滯效應(yīng)具有永久性,這是鐵磁性材料的固有屬性,因此在突然斷電時(shí)也不會(huì)丟失信息,存入數(shù)據(jù)的非易失性自然得到保證。而且保存數(shù)據(jù)并不耗電。
隨機(jī)存取
‘隨機(jī)存取’是指中央處理器讀取資料時(shí)不必從頭開始，隨時(shí)可用相同的速率從MRAM芯片的任何部位讀取信息，這與當(dāng)前計(jì)算機(jī)在開機(jī)時(shí)須重新從硬盤向RAM內(nèi)存裝載信息不同,因mram芯片在關(guān)機(jī)前已將程序和數(shù)據(jù)保存在本地內(nèi)存之中。因此MRAM芯片取消計(jì)算機(jī)開機(jī)的等待時(shí)間,也就是啟動(dòng)快。而且隨機(jī)存取速率也快,因?yàn)镸RAM元件是一個(gè)單體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以磁疇取向?yàn)橐罁?jù),存‘0’或‘1’，原理簡(jiǎn)明、運(yùn)行快捷。不像閃存那樣隨機(jī)存取有賴于晶體管的導(dǎo)通、截止以及電路傳輸。
存儲(chǔ)密度
MRAM與閃存都屬于小規(guī)格芯片,所占空間極小,存儲(chǔ)密度隨著集成技術(shù)工藝的發(fā)展而增加。集成技術(shù)工藝已從亞微米工藝進(jìn)入到納米工藝，因此MRAM的體積也越來(lái)越小,存儲(chǔ)密度必隨之增加。
低功耗
MRAM單元的功耗很低，存儲(chǔ)單元的工作電壓只有閃存EEPROM的十分之一左右,而且斷電后保存數(shù)據(jù)不需耗電。
MRAM被認(rèn)為是目前能同時(shí)滿足計(jì)算機(jī)內(nèi)存四項(xiàng)要求:‘非易失性、隨機(jī)存取速率高、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度高以及耗電功率低'的最佳器件,因而受到業(yè)內(nèi)人士的廣泛關(guān)注,各大企業(yè)競(jìng)相開發(fā),力爭(zhēng)產(chǎn)品早日面世。
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