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編輯：LL SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V
ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET 型號：SYM601 封裝：SOT-89 漏極電流（VDS）：1A 漏源電壓（ID）：600V 工作溫度：-55℃~150℃ 封裝形式：貼片 種類：場效應晶體管/MOSFET/MOS管 品牌：ASEMI MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。
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