編輯：LL ASEMI低壓MOS管 A09T/ 3400 30V的N道MOS管 型號：A09T / 3400 封裝：SOT-23 漏極電流（VDS）：5.8A 漏源電壓（ID）：30V 工作溫度：-55℃~150℃ 封裝形式：貼片 種類：場效應晶體管（MOSFET/MOS管） 品牌：ASEMI 在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，電路設計師必須認定一個是drain另一個是source。
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ASEMI低壓MOS管 A29T/ 3402 N道MOS管 30V 型號：A29T / 3402 封裝：SOT-23 漏極電流（VDS）：4A 漏源電壓（ID）：30V 工作溫度：-55℃~150℃ 封裝形式：貼片 種類：場效應晶體管（MOSFET/MOS管） 品牌：ASEMI 晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
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