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GaN光學研究

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ID:864797 發表于 2021-1-22 10:55 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在藍寶石襯底上外延生長的氮化鎵（GaN）為原材料,可以通過華林科納研制的濕法清洗設備進行光電化學濕法刻蝕、光化學濕法刻蝕、小球模板法刻蝕以及烘干、旋涂、提拉、蒸鍍、沉積等半導體材料的工藝方法,初步實現了圖形化可控刻蝕GaN的目的,并利用III-V族半導體的優勢實現光致發光、光電流響應和表面增強拉曼散射等應用。

GaN光學研究（1月22）.doc

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