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MB85RS16 是 FRAM （鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置為 2,048 × 8 位，通過鐵電工藝和硅柵 CMOS
工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。
MB85RS16 采用串行外設(shè)接口 (SPI)。
MB85RS16 與 SRAM 不同，無需備用電池即可保持?jǐn)?shù)據(jù)。
MB85RS16 中使用的存儲單元可用于 1012 次讀 / 寫操作，它的讀 / 寫耐久性大大超過 FLASH和 E2PROM。
MB85RS16 不會像 FLASH 或 E2PROM 那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時間，而且 MB85RS16 不需要等待時間。
引腳圖:
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